[发明专利]一种超薄芯片的拿取方法

权利要求书

1.一种超薄芯片的拿取方法，其特征在于，包括以下步骤：

A：在硅片（101）表面形成若干有源器件（102），把所述硅片（101）的待减薄面朝下贴在载片（103）上实现二者的键合，键合后对硅片（101）背面做减薄处理；

B：将步骤A中的硅片（101）分割成多个芯片（108），将网格胶带（105）贴在芯片（108）表面，然后把分割后的硅片（101）整体浸入解键合药液中浸泡；

C：待芯片（108）跟载片（103）分开后，通过网格胶带（105）整体移除芯片（108）；

D：去除网格胶带（105）的粘性，得到单一的芯片（108）。

2.根据权利要求1所述的超薄芯片的拿取方法，其特征在于，所述硅片（101）和/或载片（103）采用晶圆、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯制成，厚度为1-2000μm。

3.根据权利要求1所述的超薄芯片的拿取方法，其特征在于，所述硅片（101）和载片（103）键合时采用键合胶（104）进行临时键合，键合胶厚度为1-100μm。

4.根据权利要求1所述的超薄芯片的拿取方法，其特征在于，所述芯片（108）的厚度为1-100μm。

5.根据权利要求1所述的超薄芯片的拿取方法，其特征在于，所述单个芯片（108）上至少包含有一个有源器件（102）。

6.根据权利要求1所述的超薄芯片的拿取方法，其特征在于，所述芯片（108）的尺寸为0.05-50 mm，相邻芯片之间的距离为10-500μm。

7.根据权利要求1所述的超薄芯片的拿取方法，其特征在于，所述网格胶带（105）是塑料材质或金属材质，其表面胶体能够通过加热或者UV照射的方式解除粘性。