[发明专利]电子装置在审
| 申请号: | 202110307894.9 | 申请日: | 2021-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN115117050A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 李东霖;潘眉秀;郑百乔 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 装置 | ||
本发明公开一种电子装置,电子装置包含基板、第一线路、第一半导体元件以及第二半导体元件,基板具有显示区以及邻近于显示区的周边区,第一线路设置于显示区以及周边区中,第一半导体元件设置于显示区中,第二半导体元件设置于周边区中并且邻近于第一半导体元件,第一半导体元件以及第二半导体元件分别在两个部分与第一线路相交,并且第二半导体元件的两个部分之间的距离小于第一半导体元件的两个部分之间的距离。
技术领域
本发明涉及一种电子装置,特别是涉及一种包含用于静电放电(electrostaticdischarge,ESD)保护结构的电子装置。
背景技术
电子产品例如显示装置、天线装置以及感测光置等已经成为现代社会中不可或缺的必需品。随着这些电子产品的蓬勃发展,消费者对这些产品的品质、功能以及价格抱有很高的期望。
在电子装置的制造过程中,可能在各个步骤或操作中产生静电,而静电放电过程中产生的能量可能会损坏电子装置,具体地,静电放电对电子装置的损害可能包含静电击穿(electrostatic breakdown)、静电粉尘吸附(electrostatic dust absorption)、电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)等。
发展出能够改善电子装置的静电放电保护效果的结构设计,仍然为目前产业界的目标之一。
发明内容
根据本发明一些实施例,提供一种电子装置,电子装置包含基板、第一线路、第一半导体元件以及第二半导体元件,基板具有显示区以及邻近于显示区的周边区,第一线路设置于显示区以及周边区中,第一半导体元件设置于显示区中,第二半导体元件设置于周边区中,第二半导体元件邻近于第一半导体元件,第一半导体元件以及第二半导体元件分别在两个部分与第一线路相交,并且第二半导体元件的两个部分之间的距离小于第一半导体元件的两个部分之间的距离。
为让本发明的特征、或优点能更明显易懂,下文特举出一些实施例,并配合所附的附图,作详细说明如下。
附图说明
通过阅读以下的详细描述以及实施例并且参考附图,可以更充分地理解本发明,其中:
图1为本发明一些实施例中,电子装置的上视结构示意图;
图2为本发明一些实施例中,图1中的电子装置的区域R0的放大下视结构示意图;
图3为本发明一些实施例中,图2中的电子装置的区域R1的放大上视结构示意图;
图4为本发明一些实施例中,图2中的电子装置的区域R2的放大下视结构示意图;
图5为本发明一些实施例中,沿着图3中的截线A-A’的电子装置的剖面结构示意图;
图6A为本发明一些实施例中,电子装置的元件之间的电力线(electric force)的示意图;
图6B为本发明一些实施例中,电子装置的元件之间的电力线的示意图;
图7为本发明一些实施例中,沿着图3中的截线B-B’的电子装置的剖面结构示意图;
图8为本发明一些实施例中,沿着图3中的截线C-C’的电子装置的剖面结构示意图;
图9A为本发明一些实施例中,电子装置的部分的下视结构示意图;
图9B为本发明一些实施例中,电子装置的部分的上视结构示意图;
图9C为本发明一些实施例中,电子装置的部分的下视结构示意图;
图10A为本发明一些实施例中,电子装置的元件之间的电力线的示意图;
图10B为本发明一些实施例中,电子装置的元件之间的电力线的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110307894.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:秸秆粉碎还田设备
- 下一篇:用于业务办理的用户身份验证方法和用户身份验证系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





