[发明专利]电子装置在审
| 申请号: | 202110307894.9 | 申请日: | 2021-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN115117050A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 李东霖;潘眉秀;郑百乔 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
基板,具有显示区以及邻近于所述显示区的周边区;
第一线路,设置于所述显示区以及所述周边区中;
第一半导体元件,设置于所述显示区中;以及
第二半导体元件,设置于所述周边区中并且邻近于所述第一半导体元件;
其中,所述第一半导体元件以及所述第二半导体元件分别在两个部分与所述第一线路相交,并且所述第二半导体元件的所述两个部分之间的距离小于所述第一半导体元件的所述两个部分之间的距离。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述第二半导体元件的所述两个部分之间的距离小于所述第一半导体元件的所述两个部分之间的距离的一半。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述第二半导体元件的所述两个部分之间的距离与所述第一半导体元件的所述两个部分之间的距离的比值大于或等于0.2且小于或等于0.7。
4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述第二半导体元件包括低温多晶硅。
5.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述第一线路为扫描线。
6.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:
导体,所述导体设置于所述第二半导体元件下方并且与所述第二半导体元件的所述两个部分中的至少一者重叠。
7.如权利要求6所述的电子装置,其特征在于,其中所述导体与所述第一线路的至少一部分重叠。
8.如权利要求6所述的电子装置,其特征在于,其中与所述导体以及所述第一线路重叠的所述第二半导体元件的宽度小于与所述导体重叠但不与所述第一线路重叠的所述第二半导体元件的宽度。
9.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:
第三半导体元件,所述第三半导体元件位于所述周边区中,且所述第二半导体元件设置于所述第一半导体元件与所述第三半导体元件之间。
10.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,还包括:
第二线路,其设置于所述第一线路上并且与所述第三半导体元件重叠。
11.如权利要求10所述的电子装置,其特征在于,其中所述第二线路与所述第二半导体元件的至少一部分重叠。
12.如权利要求10所述的电子装置,其特征在于,其中所述第二线路为共用线路。
13.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中各个所述第一半导体元件以及所述第二半导体元件具有第一端部以及第二端部,并且所述第一端部的尺寸小于所述第二端部的尺寸。
14.如权利要求13所述的电子装置,其特征在于,其中所述第二半导体元件的所述第一端部的曲率半径小于所述第一半导体元件的所述第一端部的曲率半径。
15.如权利要求13所述的电子装置,其特征在于,其中所述第二半导体元件的所述第一端部与所述第二端部之间的距离小于所述第一半导体元件的所述第一端部与所述第二端部之间的距离。
16.如权利要求15所述的电子装置,其特征在于,其中所述第二半导体元件的所述第一端部与所述第二端部之间的距离与所述第一半导体元件的所述第一端部与所述第二端部之间的距离的比值大于或等于0.4且小于或等于1。
17.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:
像素电极,其中所述像素电极通过接垫与所述第一半导体元件电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





