[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

在方法中，将晶圆接合至第一载体。该晶圆包括半导体衬底和延伸到该半导体衬底中的多个第一通孔。该方法还包括：在晶圆上方接合多个芯片，其中，间隙位于多个芯片之间；执行间隙填充工艺以在间隙中形成间隙填充区域；将第二载体接合至多个芯片和间隙填充区域上，使第一载体与晶圆剥离；以及形成电连接至晶圆中的导电部件的电连接件。电连接件通过多个第一通孔电连接至多个芯片。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及形成半导体器件的方法。

背景技术

在集成电路的封装中，可以将多层级芯片封装到同一封装件中。多层级封装需要经受多个拾取并放置工艺来堆叠多个单独的芯片。对于每一层级的芯片，需要将芯片制造成晶圆的形式，并且从相应的晶圆锯切芯片。然后拾取并放置芯片，随后是间隙填充和平坦化工艺。因此，该封装工艺具有长工艺周期时间、低产能和高成本。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将第一晶圆接合至第一载体，其中，所述第一晶圆包括半导体衬底和延伸到所述半导体衬底中的多个第一通孔；在所述第一晶圆上方接合多个第一芯片，其中，间隙位于所述多个第一芯片之间；执行间隙填充工艺，以在所述间隙中形成间隙填充区域；将第二载体接合至所述多个第一芯片和所述间隙填充区域上；将所述第一载体从所述第一晶圆剥离；以及形成电连接至所述第一晶圆中的导电部件的电连接件，其中，所述电连接件通过所述多个第一通孔电连接至所述多个第一芯片。

本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成间隙填充区域以填充多个芯片之间的间隙，从而形成重构晶圆；将晶圆与所述多个芯片接合，其中，所述晶圆包括：半导体衬底，延伸到所述晶圆的所有边缘；和多个通孔，从所述半导体衬底的正面延伸到中间层级，其中，所述中间层级在所述半导体衬底的所述正面与背面之间；减薄所述半导体衬底以暴露所述多个通孔；以及形成电连接至所述多个通孔的多个电连接件。

本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将第一晶圆的前侧接合至第一载体；随着所述第一晶圆接合至所述第一载体，减薄所述第一晶圆的半导体衬底以暴露所述第一晶圆中的多个通孔；在所述第一晶圆的背侧上形成多个第一接合焊盘和第一介电层；通过混合接合将多个芯片接合至所述多个第一接合焊盘和所述第一介电层；将所述第一载体从所述第一晶圆和所述多个芯片剥离；以及在所述第一晶圆的所述前侧上形成电连接件，其中，所述电连接件电连接至所述多个通孔。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时，将更好地理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的论述，各种部件的尺寸可任意地增大或减小。

图1A、图1B、图2A、图2B、图3、图4A、图4B和图5-图8示出了根据一些实施例的形成芯片堆叠件的中间阶段的截面图和立体图。

图9和图10示出了根据一些实施例的一些芯片堆叠件的截面图。

图11至图16示出了根据一些实施例的形成芯片堆叠件的中间阶段的截面图。

图17和图18示出了根据一些实施例的一些芯片堆叠件的截面图。

图19至图24示出了根据一些实施例的形成芯片堆叠件的中间阶段的截面图。

图25和图26示出了根据一些实施例的一些芯片堆叠件的截面图。

图27示出了根据一些实施例用于形成芯片堆叠件的工艺流程。

具体实施方式