[发明专利]形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110307375.2 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113517203A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;陈诚风;叶松峯;郑筌安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
将第一晶圆接合至第一载体，其中，所述第一晶圆包括半导体衬底和延伸到所述半导体衬底中的多个第一通孔；
在所述第一晶圆上方接合多个第一芯片，其中，间隙位于所述多个第一芯片之间；
执行间隙填充工艺，以在所述间隙中形成间隙填充区域；
将第二载体接合至所述多个第一芯片和所述间隙填充区域上；
将所述第一载体从所述第一晶圆剥离；以及
形成电连接至所述第一晶圆中的导电部件的电连接件，其中，所述电连接件通过所述多个第一通孔电连接至所述多个第一芯片。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一晶圆的前侧接合至所述第一载体，并且其中，所述方法还包括：
抛光所述半导体衬底以暴露所述多个第一通孔；以及
形成接合焊盘以电连接至所述多个第一通孔。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一晶圆通过熔融接合而接合至所述第一载体。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括形成第一介电层作为所述第一载体的表面层，其中，所述第一介电层接合至所述第一晶圆中的第二介电层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一芯片通过混合接合而接合在所述第一晶圆上方。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括，在将所述多个第一芯片接合在所述第一晶圆上方之前，将第二晶圆接合在所述第一晶圆上方，其中，所述多个第一芯片还接合在所述第二晶圆上方。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括将多个第二芯片接合至所述多个第一芯片上。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括从所述多个第一芯片剥离所述第二载体。
9.一种形成半导体器件的方法，包括：
形成间隙填充区域以填充多个芯片之间的间隙，从而形成重构晶圆；
将晶圆与所述多个芯片接合，其中，所述晶圆包括：
半导体衬底，延伸到所述晶圆的所有边缘；和
多个通孔，从所述半导体衬底的正面延伸到中间层级，其中，所述中间层级在所述半导体衬底的所述正面与背面之间；
减薄所述半导体衬底以暴露所述多个通孔；以及
形成电连接至所述多个通孔的多个电连接件。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
将第一晶圆的前侧接合至第一载体；
随着所述第一晶圆接合至所述第一载体，减薄所述第一晶圆的半导体衬底以暴露所述第一晶圆中的多个通孔；
在所述第一晶圆的背侧上形成多个第一接合焊盘和第一介电层；
通过混合接合将多个芯片接合至所述多个第一接合焊盘和所述第一介电层；
将所述第一载体从所述第一晶圆和所述多个芯片剥离；以及
在所述第一晶圆的所述前侧上形成电连接件，其中，所述电连接件电连接至所述多个通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
