[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

形成半导体器件的方法，包括：在该半导体器件的第一器件区域中的衬底中形成第一电子组件；在该第一电子组件上方形成第一互连结构，并将该第一互连结构电耦合到该第一电子组件；在该第一互连结构上方形成第一钝化层，该第一钝化层从第一器件区域延伸到与第一器件区域相邻的划线区域；在形成第一钝化层之后，从划线区域去除第一钝化层，同时将第一钝化层的剩余部分保持在第一器件区域中；以及在去除第一钝化层之后沿划线区域切割。本申请的实施例还涉及半导体器件。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次淀积绝缘或介电层、导电层和半导体层，并使用光刻图案化各材料层以形成其中的电路组件和元件的方法制造。在单个半导体晶圆上，通常制造了数十或数百个集成电路。通过沿划线切割集成电路来分割单个管芯。然后分别将单个管芯单独地封装为多芯片模块，或进行其他类型的封装。

半导体行业通过不断减小最小部件尺寸以提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而能让更多的组件集成到给定区域内。随着高级半导体制造节点的部件尺寸不断缩小，出现了必须解决的新的挑战。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在所述半导体器件的第一器件区域中的衬底中形成第一电子组件；在所述第一电子组件上方形成电耦合到所述第一电子组件的第一互连结构；在所述第一互连结构上方形成第一钝化层，所述第一钝化层从所述第一器件区域延伸到与所述第一器件区域相邻的划线区域；在形成所述第一钝化层之后，从所述划线区域去除所述第一钝化层，同时将所述第一钝化层的剩余部分保持在所述第一器件区域中；以及在去除所述第一钝化层之后，沿所述划线区域切割。

本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：分别在所述半导体器件的第一器件区域和第二器件区域中的衬底上方形成第一互连结构和第二互连结构，其中，所述半导体器件的划线区域介于所述第一器件区域与所述第二器件区域之间；在所述第一互连结构上方和所述第二互连结构上方形成第一钝化层，其中，所述第一钝化层从所述第一器件区域连续地延伸到所述第二器件区域；从所述划线区域去除所述第一钝化层的第一部分；以及在从所述划线区域去除所述第一钝化层之后，执行等离子体切割工艺，以在所述划线区域中形成沟槽，所述沟槽从面向所述第一钝化层的所述衬底的第一侧延伸到所述衬底中。

本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；电子组件，位于所述衬底中；互连结构，位于所述衬底上方并电耦合到所述电子组件；密封环，围绕所述互连结构；第一钝化层，位于所述互连结构和所述密封环上方；以及介电层，位于所述第一钝化层上方，其中，最靠近所述密封环的所述第一钝化层的第一侧壁与最靠近所述密封环的所述介电层的侧壁之间存在第一横向距离。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至6示出了根据一实施例的半导体器件在各个制造阶段的截面图；

图7和图8示出了根据另一实施例的半导体器件在各个制造阶段的截面图；

图9和图10示出了根据另一实施例的半导体器件在各个制造阶段的截面图；

图11和图12示出了根据另一实施例的半导体器件在各个制造阶段的截面图；

图13和图14示出了根据又一实施例的半导体器件在各个制造阶段的截面图；

图15示出了根据一些实施例的形成半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式