[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在所述半导体器件的第一器件区域中的衬底中形成第一电子组件；

在所述第一电子组件上方形成电耦合到所述第一电子组件的第一互连结构；

在所述第一互连结构上方形成第一钝化层，所述第一钝化层从所述第一器件区域延伸到与所述第一器件区域相邻的划线区域；

在形成所述第一钝化层之后，从所述划线区域去除所述第一钝化层，同时将所述第一钝化层的剩余部分保持在所述第一器件区域中；以及

在去除所述第一钝化层之后，沿所述划线区域切割。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述第一钝化层之前，在所述第一器件区域与所述划线区域之间的第一密封环区域中形成第一密封环。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在从所述划线区域去除所述第一钝化层之后，所述第一密封环区域仍由所述第一钝化层覆盖。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，沿着所述划线区域中的切割路径执行所述切割，其中，所述切割路径的宽度小于所述划线区域的宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割在所述衬底中形成凹槽，其中所述凹槽的底部位于面向所述第一互连结构的所述衬底的第一侧和与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，使用等离子体切割工艺执行所述切割。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括，在所述切割之后，从所述衬底的所述第二侧减小所述衬底的厚度，其中在减小所述衬底的所述厚度之后，所述凹槽延伸穿过所述衬底。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括，在从所述划线区域去除所述第一钝化层之后且在所述切割之前：

穿过所述第一钝化层形成电耦合到所述第一互连结构的导电部件的导电焊盘；

在所述导电焊盘上方和所述第一钝化层上方形成第二钝化层，其中，所述第二钝化层从所述第一器件区域延伸到所述划线区域；以及

从所述划线区域去除所述第二钝化层，同时将所述第二钝化层的剩余部分保持在所述第一器件区域中。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

分别在所述半导体器件的第一器件区域和第二器件区域中的衬底上方形成第一互连结构和第二互连结构，其中，所述半导体器件的划线区域介于所述第一器件区域与所述第二器件区域之间；

在所述第一互连结构上方和所述第二互连结构上方形成第一钝化层，其中，所述第一钝化层从所述第一器件区域连续地延伸到所述第二器件区域；

从所述划线区域去除所述第一钝化层的第一部分；以及

在从所述划线区域去除所述第一钝化层之后，执行等离子体切割工艺，以在所述划线区域中形成沟槽，所述沟槽从面向所述第一钝化层的所述衬底的第一侧延伸到所述衬底中。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

电子组件，位于所述衬底中；

互连结构，位于所述衬底上方并电耦合到所述电子组件；

密封环，围绕所述互连结构；

第一钝化层，位于所述互连结构和所述密封环上方；以及

介电层，位于所述第一钝化层上方，其中，最靠近所述密封环的所述第一钝化层的第一侧壁与最靠近所述密封环的所述介电层的侧壁之间存在第一横向距离。