[发明专利]半导体器件及其制造方法和制造半导体结构的方法

说明书

半导体器件包括位于电路上方的第一钝化层和位于第一钝化层上方的导电焊盘，其中，导电焊盘电连接至电路。第二钝化层设置在导电焊盘和第一钝化层上方，并且具有第一开口和第二开口。第一开口暴露在导电焊盘下面延伸的层的上表面，并且第二开口暴露导电焊盘。第一绝缘层设置在第二钝化层上方并填充第一开口和第二开口。衬底通孔延伸穿过绝缘层、第二钝化层、钝化层和衬底。衬底通孔和第二钝化层的侧具有填充有第一绝缘层的间隙。导电通孔延伸穿过第一绝缘层并连接至导电焊盘。本申请的实施例还涉及制造半导体结构和半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法和制造半导体结构的方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体行业经历了快速的增长。大部分情况下，这种集成密度的提高源于最小部件尺寸的不断减小，从而使得更多的组件集成到特定区域中。随着近来对更小电子器件的需求增长，对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求也在增长。

随着半导体技术的进一步发展，诸如，3D集成电路(3DIC)封装件的堆叠式半导体器件已经出现作为进一步减小半导体器件的物理尺寸的有效替代方案。在堆叠的半导体器件中，有源电路(诸如逻辑、存储器、处理器电路等)在不同半导体晶圆上制造。可以在彼此之上安装两个或更多个半导体组件，以进一步减少半导体器件的形状因数。

先进封装技术的高集成度使得能够制造具有增强功能和小覆盖区的半导体器件，这对于小形状因数器件(诸如移动电话、平板电脑和数字音乐播放器)是有利的。另一优势是缩短了连接半导体器件内的互操作部分的导电路径的长度。这提高了半导体器件的电性能，因为电路之间互连的较短布线产生更快的信号传播并且减少了噪声和串扰。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成导电焊盘；在所述导电焊盘上方形成钝化层；在所述钝化层中形成第一开口和第二开口，其中，所述第二开口暴露所述导电焊盘，并且其中，所述第一开口与所述导电焊盘间隔开，并暴露在所述导电焊盘下面延伸的层的上表面；在所述第一开口中形成第一导电通孔，其中，所述第一导电通孔延伸至所述半导体衬底中；以及在所述第二开口中形成第二导电通孔，其中，所述第二导电通孔连接至所述导电焊盘。

本申请的另一些实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供其上形成有电路的衬底，其中，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述电路上方形成第一钝化层；在所述第一钝化层上方形成导电焊盘，其中，所述导电焊盘电连接至所述电路；在所述导电焊盘和所述第一钝化层上方形成第二钝化层，其中，所述第二钝化层在所述第一区域中具有第一开口并且在所述第二区域中具有第二开口，其中，所述第一开口暴露在所述导电焊盘下方延伸的层的上表面，并且所述第二开口暴露所述导电焊盘；在所述第二钝化层上方形成第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层填充所述第一开口和所述第二开口；在所述第一区域中形成第一导电通孔，其中，所述第一导电通孔具有在所述第一开口中的至少一部分并且从所述第一绝缘层延伸至所述半导体衬底中；以及在所述第二区域中形成第二导电通孔，其中，所述第二通孔具有在所述第二开口中的至少一部分并且连接至所述导电焊盘。

本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，其上形成有电路；第一钝化层，位于所述电路上方；导电焊盘，位于所述第一钝化层上方并且电连接至所述电路；第二钝化层，位于所述导电焊盘和所述第一钝化层上方，其中，所述第二钝化层具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露在所述导电焊盘下面延伸的层的上表面，所述第二开口暴露所述导电焊盘；第一绝缘层，设置在所述第二钝化层上方并填充所述第一开口和所述第二开口；衬底通孔，至少部分地与所述第二开口对准并延伸穿过所述第一绝缘层、所述第二钝化层、所述第一钝化层和所述衬底，其中，所述衬底通孔和所述第二钝化层的侧具有填充有所述第一绝缘层的间隙；以及导电通孔，延伸穿过所述第一绝缘层并连接至所述导电焊盘。

附图说明