[发明专利]半导体器件及其制造方法和制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成导电焊盘；

在所述导电焊盘上方形成钝化层；

在所述钝化层中形成第一开口和第二开口，其中，所述第二开口暴露所述导电焊盘，并且其中，所述第一开口与所述导电焊盘间隔开，并暴露在所述导电焊盘下面延伸的层的上表面；

在所述第一开口中形成第一导电通孔，其中，所述第一导电通孔延伸至所述半导体衬底中；以及

在所述第二开口中形成第二导电通孔，其中，所述第二导电通孔连接至所述导电焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化层具有与所述导电焊盘的分布共形的上表面。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述钝化层上方沉积第一绝缘层并填充所述第一开口和所述第二开口；以及

平坦化所述第一绝缘层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第一导电通孔的步骤包括：

蚀刻平坦化的第一绝缘层、所述层和所述半导体衬底以形成第一通孔；其中，所述第一通孔至少部分地与所述第一开口对准；以及

用导电材料填充所述第一通孔。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在所述平坦化的第一绝缘层和所述第一导电通孔上方形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层中形成线沟槽，其中，所述线沟槽具有暴露所述第一导电通孔的至少一部分；

形成暴露所述导电焊盘的第二通孔，其中，所述第二通孔至少部分地与所述线沟槽对准；以及

将所述导电材料填充到所述线沟槽和所述第二通孔中。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第二导电通孔的步骤包括：

蚀刻所述平坦化的第一绝缘层以形成第二通孔，其中，所述第二通孔至少部分地与所述第二开口对准并且暴露所述导电焊盘；以及

在所述第二通孔中填充导电材料。

7.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述半导体衬底上方形成互连结构，其中，在所述导电焊盘下方延伸的所述层是设置在所述钝化层与所述互连结构之间的层或设置在所述互连结构中的层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述互连结构具有与所述第一导电过孔和所述导电焊盘间隔开的连接焊盘，并且所述方法还包括形成第三导电通孔，所述第三导电通孔延伸穿过所述第一绝缘层并连接至所述互连结构的所述连接焊盘。

9.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供其上形成有电路的衬底，其中，所述衬底具有第一区域和第二区域；

在所述电路上方形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上方形成导电焊盘，其中，所述导电焊盘电连接至所述电路；

在所述导电焊盘和所述第一钝化层上方形成第二钝化层，其中，所述第二钝化层在所述第一区域中具有第一开口并且在所述第二区域中具有第二开口，其中，所述第一开口暴露在所述导电焊盘下方延伸的层的上表面，并且所述第二开口暴露所述导电焊盘；

在所述第二钝化层上方形成第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层填充所述第一开口和所述第二开口；

在所述第一区域中形成第一导电通孔，其中，所述第一导电通孔具有在所述第一开口中的至少一部分并且从所述第一绝缘层延伸至所述半导体衬底中；以及

在所述第二区域中形成第二导电通孔，其中，所述第二通孔具有在所述第二开口中的至少一部分并且连接至所述导电焊盘。

10.一种半导体器件，包括：

衬底，其上形成有电路；

第一钝化层，位于所述电路上方；

导电焊盘，位于所述第一钝化层上方并且电连接至所述电路；

第二钝化层，位于所述导电焊盘和所述第一钝化层上方，其中，所述第二钝化层具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露在所述导电焊盘下面延伸的层的上表面，所述第二开口暴露所述导电焊盘；

第一绝缘层，设置在所述第二钝化层上方并填充所述第一开口和所述第二开口；

衬底通孔，至少部分地与所述第二开口对准并延伸穿过所述第一绝缘层、所述第二钝化层、所述第一钝化层和所述衬底，其中，所述衬底通孔和所述第二钝化层的侧具有填充有所述第一绝缘层的间隙；以及

导电通孔，延伸穿过所述第一绝缘层并连接至所述导电焊盘。