[发明专利]半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件

说明书

本发明提供了一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括如下步骤：利用划线角度30～40°、划线速度(20A+20)～(20A+40)mm/s在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的、长度为(0.05A‑0.1)～(0.05A‑0.05)mm的划线，并在第一平面内形成预制裂纹；在形成该预制裂纹后，在第一方向上，利用预制裂纹形成半导体器件的腔面；其中A为半导体器件在第一方向上的长度。与现有技术相比，获得较深的预制裂纹，减少预制裂纹的数量，降低对半导体器件的芯片区的影响，制备的半导体器件腔面平整光滑，提高性能、良品率和生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件。

背景技术

半导体器件的谐振腔面是影响半导体器件寿命的主要因素之一，而通常情况下，造成腔面缺陷的因素很大一部分是在生产制备过程中引入的。

如图1所示，在半导体器件腔面的制备过程中，对于边发射的半导体器件通常是在腔面的起始端进行划线，产生预制裂纹120’，后期通过在预制裂纹120’处施加一个外力，然后使得半导体器件沿着预制裂纹120’开裂，形成谐振腔面。

通常划线的状态往往直接影响腔面的质量，当前常规工艺中，划线长度与半导体器件形成谐振腔面的长度(即第一方向长度)成正比，即沿着腔面方向的宽度尺寸越大则需要的划线长度越长。但是，对于长的划线110’，往往会造成的预制裂纹120’影响范围更大，容易延伸，扩散，损伤半导体器件的芯片区；如果直接将划线长度减短，虽然产生的预制裂纹120’长度会随着减短，但是后期在半导体器件的开裂过程中，则导致半导体器件不容易开裂或者不能开裂，影响良品率和效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件，以解决在现有半导体器件腔面的制备过程中，划线长度较长时造成的预制裂纹影响范围较大，容易延伸，扩散，损伤半导体器件，以及划线长度减短，虽然产生的预制裂纹长度会随着减短，但是后期在半导体器件的开裂过程中，则导致半导体器件不容易开裂或者不能开裂，影响良品率和效率的技术问题。

本发明提供的半导体器件腔面的制备方法，包括如下步骤：

利用划线角度、划线速度在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的划线，并在第一平面内形成预制裂纹；所述第一平面为过所述划线且垂直于所述半导体器件表面的平面；

在形成该预制裂纹后，在所述第一方向上，利用所述预制裂纹对所述半导体器件进行分割，形成所述半导体器件的腔面；

其中，划线的长度为(0.05A-0.1)mm～(0.05A-0.05)mm；

划线角度为30°～40°；

划线速度为(20A+20)mm/s～(20A+40)mm/s；

A为半导体器件在第一方向上的长度。

进一步的，所述利用划线角度、划线速度在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的划线，并在第一平面内形成预制裂纹的步骤还包括：

在构建划线的过程中，划线克重为(2A-1)g～(2A+1)g。

进一步的，划线的长度为(0.05A-0.75)mm；

划线角度为35°；

划线速度为(20A+30)mm/s；

划线克重为(2A)g。

进一步的，所述划线的起始端为在第一方向上所述半导体器件表面的无图案区的外侧边缘。

进一步的，所述在形成该预制裂纹后，在所述第一方向上，利用所述预制裂纹对所述半导体器件进行分割，形成所述半导体器件的腔面的步骤包括：