[发明专利]半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件有效
| 申请号： | 202110305281.1 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113067246B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 刘中华;杨国文;李颖;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张鹏 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件腔面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
利用划线角度、划线速度在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的划线，并在第一平面内形成预制裂纹；所述第一平面为过所述划线且垂直于所述半导体器件表面的平面；
在形成该预制裂纹后，在所述第一方向上，利用所述预制裂纹对所述半导体器件进行分割，形成所述半导体器件的腔面；
其中，划线的长度为(0.05A-0.1)mm～(0.05A-0.05)mm；
划线角度为30°～40°；
划线速度为(20A+20)mm/s～(20A+40)mm/s；
A为半导体器件在第一方向上的长度，且A的单位为mm；
所述半导体器件在第一方向上的长度为3～15mm。
2.根据权利要求1所述的半导体器件腔面的制备方法，其特征在于，所述利用划线角度、划线速度在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的划线，并在第一平面内形成预制裂纹的步骤还包括：
在构建划线的过程中，划线克重为(2A-1)g～(2A+1)g。
3.根据权利要求2所述的半导体器件腔面的制备方法，其特征在于，划线的长度为(0.05A-0.75)mm；
划线角度为35°；
划线速度为(20A+30)mm/s；
划线克重为(2A)g。
4.根据权利要求1所述的半导体器件腔面的制备方法，其特征在于，所述划线的起始端为在第一方向上所述半导体器件表面的无图案区的外侧边缘。
5.根据权利要求1所述的半导体器件腔面的制备方法，其特征在于，所述在形成该预制裂纹后，在所述第一方向上，利用所述预制裂纹对所述半导体器件进行分割，形成所述半导体器件的腔面的步骤包括：
将滚轮放置在所述划线处并与所述划线对齐；
沿第一方向滚动所述滚轮，并对所述滚轮施加一朝向所述预制裂纹的压力，所述半导体器件沿第一方向开裂形成所述半导体器件腔面。
6.根据权利要求1所述的半导体器件腔面的制备方法，其特征在于，所述在形成该预制裂纹后，在所述第一方向上，利用所述预制裂纹对所述半导体器件进行分割，形成所述半导体器件的腔面的步骤包括：
将劈刀对准所述划线并下压所述劈刀，所述半导体器件沿第一方向开裂形成所述半导体器件腔面。
7.一种半导体器件腔面，其特征在于，所述半导体器件腔面利用权利要求1-6任一项所述的半导体器件腔面的制备方法形成。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求7所述的半导体器件腔面。
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