[发明专利]发光单元及发光模组

说明书

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种发光单元，包括：发光半导体，包括由下向上依次叠层设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及由第二半导体层下陷到第一半导体层的下陷结构；下陷结构具有至少一个面；保护层，保护层至少设置于第二半导体层的顶面；绝缘层，绝缘层至少设置在下陷结构中；其中，发光单元内设置有至少贯穿绝缘层，到达第一半导体层的第一孔；以及至少贯穿保护层，到达第二半导体层的第二孔；还包括第一电极和第二电极，分别设置于第一孔和第二孔内。本申请中，通过将保护层至少设置在第二半导体层之上，以使得在刻蚀的过程中，至少能够避免第二半导体层被误刻蚀。本申请还公开了一种发光模组。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，例如涉及发光单元及发光模组。

背景技术

目前，通常需要使用刻蚀工艺将发光单元的电极引出，以使发光单元能够与其他器件实现电连接。

在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：

在第一半导体层的表面或第二半导体层的表面进行刻蚀工艺时，会误刻蚀到第一半导体层或第二半导体层的一部分，从而引起电阻的变化。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供了一种发光单元及发光模组，以解决进行刻蚀工艺时，会误刻蚀到第一半导体层或第二半导体层的一部分，从而引起电阻的变化的技术问题。

在一些实施例中，一种发光单元，包括：

发光半导体，包括由下向上依次叠层设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及由所述第二半导体层下陷到所述第一半导体层的下陷结构；所述下陷结构具有至少一个面；

保护层，所述保护层至少设置于所述第二半导体层的顶面；

绝缘层，所述绝缘层至少设置在所述下陷结构中；

其中，所述发光单元内设置有至少贯穿所述绝缘层，到达所述第一半导体层的第一孔；以及至少贯穿所述保护层，到达所述第二半导体层的第二孔；

所述发光单元还包括第一电极和第二电极，分别设置于所述第一孔和第二孔内。

在一些实施例中，所述绝缘层的顶面不低于所述保护层的顶面。

在一些实施例中，所述绝缘层的顶面为平面。

在一些实施例中，所述下陷结构具有一个斜面。

在一些实施例中，所述保护层设置于所述第二半导体层的顶面；

所述绝缘层设置于所述斜面上；其中，所述绝缘层的顶面与保护层的顶面共面；

所述第一孔贯穿所述绝缘层，到达所述第一半导体层；

所述第二孔贯穿所述保护层，到达所述第二半导体层。

在一些实施例中，所述保护层设置于所述第二半导体层的顶面，以及所述斜面上；

所述绝缘层设置于位于所述斜面上的保护层上；其中，所述绝缘层的顶面与保护层的顶面共面；

所述第一孔贯穿所述绝缘层和保护层，到达所述第一半导体层；

所述第二孔贯穿所述保护层，到达第二半导体层。

在一些实施例中，所述保护层设置于所述第二半导体层的顶面，以及所述斜面上；

所述绝缘层设置于所述保护层上；其中，所述绝缘层的顶面位于所述保护层的顶面所在平面的上方；