[发明专利]发光单元及发光模组

权利要求书

1.一种发光单元，其特征在于，包括：

发光半导体，包括由下向上依次叠层设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及由所述第二半导体层下陷到所述第一半导体层的下陷结构；所述下陷结构具有一个斜面；

保护层，所述保护层至少设置于所述第二半导体层的顶面；

绝缘层，所述绝缘层至少设置在所述下陷结构中；

其中，所述发光单元内设置有至少贯穿所述绝缘层，到达所述第一半导体层的第一孔；以及至少贯穿所述保护层，到达所述第二半导体层的第二孔；所述第一孔设置于所述斜面；

所述发光单元还包括第一电极和第二电极，分别设置于所述第一孔和第二孔内。

2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述绝缘层的顶面不低于所述保护层的顶面。

3.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述绝缘层的顶面为平面。

4.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述保护层设置于所述第二半导体层的顶面；

所述绝缘层设置于所述斜面上；其中，所述绝缘层的顶面与保护层的顶面共面；

所述第一孔贯穿所述绝缘层，到达所述第一半导体层；

所述第二孔贯穿所述保护层，到达所述第二半导体层。

5.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述保护层设置于所述第二半导体层的顶面，以及所述斜面上；

所述绝缘层设置于位于所述斜面上的保护层上；其中，所述绝缘层的顶面与保护层的顶面共面；

所述第一孔贯穿所述绝缘层和保护层，到达所述第一半导体层；

所述第二孔贯穿所述保护层，到达第二半导体层。

6.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述保护层设置于所述第二半导体层的顶面，以及所述斜面上；

所述绝缘层设置于所述保护层上；其中，所述绝缘层的顶面位于所述保护层的顶面所在平面的上方；

所述第一孔贯穿所述绝缘层和保护层，到达所述第一半导体层；

所述第二孔贯穿所述绝缘层和保护层，到达所述第二半导体层。

7.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述保护层包括第一保护层和第二保护层；其中，所述第一保护层，设置于所述下陷结构的至少一个面上；所述第二保护层，设置于所述第二半导体层的顶面；

所述第二保护层的厚度大于或等于所述第一保护层的厚度。

8.根据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述第一保护层包括一层第一子保护层或至少两层第一子保护层。

9.根据权利要求8所述的发光单元，其特征在于，至少两层所述第一子保护层的材料彼此相同或不同。

10.根据权利要求8所述的发光单元，其特征在于，至少两层所述第一子保护层的厚度彼此相同或不同。

11.根据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述第二保护层包括一层第二子保护层或至少两层第二子保护层。

12.根据权利要求11所述的发光单元，其特征在于，至少两层所述第二子保护层的材料彼此相同或不同。

13.根据权利要求11所述的发光单元，其特征在于，至少两层所述第二子保护层的厚度彼此相同或不同。

14.根据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的材料相同或不同。