[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一基底，第一基底包括堆叠设置的位线、晶体管和第一接触结构；与第一基底相键合的第二基底，第二基底包括堆叠设置的第二接触结构和电容，且第二接触结构与第一接触结构正对接触；其中，第一接触结构具有朝向第二基底的第一面以及与第一面相对的第二面，且第一面的面积大于第二面的面积；第二接触结构具有朝向第一基底的第三面以及与第三面相对的第四面，且第三面的面积大于第四面的面积。本发明实施例能够降低DRAM的制造工艺难度，缩短生产周期，提高DRAM的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体结构中的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器。DRAM的主要作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。

然而，为提高半导体集成电路的集成度，DRAM的特征尺寸越来越小；从而使得DRAM的制造工艺难度越来越大，生产周期越来越长，其性能也有待进一步提升。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，以降低DRAM的制造工艺难度，缩短生产周期，提高DRAM的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构，包括：第一基底，所述第一基底包括堆叠设置的位线、晶体管和第一接触结构；与所述第一基底相键合的第二基底，所述第二基底包括堆叠设置的第二接触结构和电容，且所述第二接触结构与所述第一接触结构正对接触；其中，所述第一接触结构具有朝向所述第二基底的第一面以及与所述第一面相对的第二面，且所述第一面的面积大于所述第二面的面积；所述第二接触结构具有朝向所述第一基底的第三面以及与所述第三面相对的第四面，且所述第三面的面积大于所述第四面的面积。

可选的，所述第一面的面积大于所述第三面的面积。

可选的，所述第一面的面积是所述第三面的面积的5倍～20倍。

可选的，所述晶体管为竖直晶体管，所述竖直晶体管包括依次堆叠于所述位线上的源极、沟道区和漏极；所述漏极与所述第一接触结构相连；还包括：字线，所述字线与所述沟道区相连；所述位线沿第一方向延伸，所述字线沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向不同。

可选的，所述竖直晶体管为多个，所述第一接触结构为多个，且多个所述第一接触结构与多个所述竖直晶体管一一对应相连；所述字线为多个，且一个所述字线连接多个所述竖直晶体管的沟道区。

可选的，所述电容包括下电极、上电极以及位于所述上电极和所述下电极之间的介质层，所述下电极与所述第二接触结构相连。

可选的，所述电容包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分和所述第二部分的连接处具有拐点；所述第一部分包括部分所述上电极、部分所述下电极和部分所述介质层；所述第二部分包括部分上电极、部分下电极和部分介质层。

可选的，所述电容为多个，所述第二接触结构为多个，多个所述电容与多个所述第二接触结构一一对应相连；其中，多个所述电容的上电极相连，多个所述电容的介质层相连。

可选的，所述第二基底还包括：多个分立的电极垫，所述电极垫与所述电容的上电极一一对应相连，且所述电极垫的剖面形貌为梯形，所述梯形的高度大于梯形平行边的边长。