[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一基底，所述第一基底包括堆叠设置的位线、晶体管和第一接触结构；

与所述第一基底相键合的第二基底，所述第二基底包括堆叠设置的第二接触结构和电容，且所述第二接触结构与所述第一接触结构正对接触；

其中，所述第一接触结构具有朝向所述第二基底的第一面以及与所述第一面相对的第二面，且所述第一面的面积大于所述第二面的面积；

所述第二接触结构具有朝向所述第一基底的第三面以及与所述第三面相对的第四面，且所述第三面的面积大于所述第四面的面积，所述第一面的面积大于所述第三面的面积；

所述第一接触结构朝向所述第二基底的一侧设置有第一凹陷部；所述第二接触结构朝向所述第一基底的一侧设置有第二凹陷部。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一面的面积是所述第三面的面积的5倍～20倍。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管为竖直晶体管，所述竖直晶体管包括依次堆叠于所述位线上的源极、沟道区和漏极；所述漏极与所述第一接触结构相连；还包括：字线，所述字线与所述沟道区相连；所述位线沿第一方向延伸，所述字线沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向不同。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述竖直晶体管为多个，所述第一接触结构为多个，且多个所述第一接触结构与多个所述竖直晶体管一一对应相连；所述字线为多个，且一个所述字线连接多个所述竖直晶体管的所述沟道区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容包括下电极、上电极以及位于所述上电极和所述下电极之间的介质层，所述下电极与所述第二接触结构相连。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电容包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分和所述第二部分的连接处具有拐点；所述第一部分包括部分所述上电极、部分所述下电极和部分所述介质层；所述第二部分包括部分所述上电极、部分所述下电极和部分所述介质层。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电容为多个，所述第二接触结构为多个，多个所述电容与多个所述第二接触结构一一对应相连；其中，多个所述电容的所述上电极相连，多个所述电容的所述介质层相连。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底还包括：多个分立的电极垫，所述电极垫与所述电容的所述上电极一一对应相连，且所述电极垫的剖面形貌为梯形，所述梯形的高度大于所述梯形平行边的边长。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触结构包括层叠设置的第一一接触结构和第一二接触结构，且所述第一一接触结构位于远离所述第二基底的一侧，所述第一二接触结构位于靠近所述第二基底的一侧；所述第二接触结构包括层叠设置的第二一接触结构和第二二接触结构，且所述第二一接触结构位于靠近所述第一基底的一侧，所述第二二接触结构位于远离所述第一基底的一侧；

其中，所述第一一接触结构和所述晶体管的接触面积大于所述第一二接触结构和所述第二一接触结构的接触面积，所述第二二接触结构和所述电容的接触面积小于所述第一二接触结构和所述第二一接触结构的接触面积。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一一接触结构的硬度大于所述第一二接触结构的硬度；所述第二二接触结构的硬度大于所述第二一接触结构的硬度；所述第一二接触结构的熔点低于所述第一一接触结构的熔点；所述第二一接触结构的熔点低于所述第二二接触结构的熔点。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一一接触结构和所述晶体管的接触面积大于所述第一二接触结构和所述第二一接触结构的接触面积，所述第一接触结构和所述第二接触结构的电阻相同。