[发明专利]3D芯片的存储器修复方法及相关设备

说明书

本申请实施例通过提供一种3D芯片的存储器修复方法及相关设备，用于解决目前3D芯片的存储器修复率较低的问题。其中，上述方法包括：根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3D芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复。

技术领域

本发明实施例涉及芯片技术领域，具体地说，涉及一种3D芯片的存储器修复方法及相关设备。

背景技术

在芯片中，DRAM存储器(Dynamic random access memory，动态随机存取存储阵列，简称DRAM)往往承担着二级缓存以及临时存储的作用，在常规的芯片生产过程中，为了确保芯片的稳定性和可靠性，一般都需要对芯片中DRAM存储器进行有效性测试，并基于测试结果利用修复资源进行修复，即通过修复资源对失效单元进行修复。

目前，常规的修复方式是利用每个芯片中内置的修复资源对自身的失效单元进行修复，如果能够满足失效单元的修复需求，则说明该芯片的存储器能够在修复后正常使用，反之，则说明该芯片的在修复后无法正常使用。而随着芯片堆叠技术的发展，3D芯片的设计工艺也越发成熟。在3D芯片中，一般是由至少两个单芯片进行堆叠构成，也就是说3D芯片中由于存在多个单芯片，也就存在与之对应的多个DRAM存储器。这样，在利用常规的芯片修复方式对3D芯片进行修复时，当3D芯片中任意一芯片的修复资源不足，则认为该3D芯片不可用，在这种情况下，常规的芯片的DRAM存储器修复方式将直接因个别的单芯片自身的修复资源不足而导致修复失败的情况，从而影响了整个3D芯片的修复效果，降低了修复率。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请实施例的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本申请实施例通过提供一种3D芯片的存储器修复方法及相关设备，以提高3D芯片的存储器修复率。

为至少部分地解决上述问题，第一方面，本申请实施例提供了一种3D芯片的存储器修复方法，包括：

根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3D芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；

通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复。

可选的，所述根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，包括：

根据所述失效单元信息确定每个所述单芯片的失效单元数量，并根据所述修复资源信息确定每个所述单芯片的修复资源数量；

当所述失效单元数量大于所述修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第一类型芯片；

当所述失效单元数量小于所述修复资源数量时，确定所述单芯片为所述第二类型芯片。

可选的，在所述根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类之前，所述方法还包括：

通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作，其中，所述初步修复操作用于利用所述单芯片的存储器内全部的修复资源对失效单元进行修复；

所述根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，还包括：