[发明专利]3D芯片的存储器修复方法及相关设备有效
申请号: | 202110303967.7 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN112927744B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 刘承林;宋炜哲 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 吴莹 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 存储器 修复 方法 相关 设备 | ||
1.一种3D芯片的存储器修复方法,其特征在于,包括:
根据芯片信息,对目标芯片中每个单芯片按照存储器类型进行分类,得到第一类型芯片及第二类型芯片,其中,所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3D芯片,所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息,所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足,所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余;
通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据芯片信息,对目标芯片中每个单芯片按照存储器类型进行分类,包括:
根据所述失效单元信息确定每个所述单芯片的失效单元数量,并根据所述修复资源信息确定每个所述单芯片的修复资源数量;
当所述失效单元数量大于所述修复资源数量时,确定所述单芯片为所述第一类型芯片;
当所述失效单元数量小于所述修复资源数量时,确定所述单芯片为所述第二类型芯片。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述根据芯片信息,对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类之前,所述方法还包括:
通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作,其中,所述初步修复操作用于利用所述单芯片的存储器内全部的修复资源对失效单元进行修复;
所述根据芯片信息,对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类,还包括:
若确定所述单芯片执行了所述初步修复操作,则根据所述失效单元信息对所述目标芯片中每个所述单芯片进行分类。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述通过所述芯片信息判断所述单芯片是否执行了初步修复操作包括:
判断所述芯片信息中是否包含修复信息,其中,所述修复信息中包含有所述修复资源与所述失效单元之间的地址对应关系;
若包含,则确定所述单芯片执行了所述初步修复操作。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述若确定所述单芯片执行了所述初步修复操作,则根据所述失效单元信息对所述目标芯片中每个所述单芯片进行分类包括:
从所述失效单元信息中确定失效单元数量;
当确定所述失效单元数量大于零时,确定所述单芯片为所述第一类型芯片。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复,包括:
根据所述第二类型芯片的失效单元信息及所述修复资源信息,确定所述第二类型芯片的待分配资源,其中,所述待分配资源为用于修复所述第二类型芯片自身的失效单元;
根据所述第二类型芯片的待分配资源及所述第二类型芯片的修复资源确定所述第二类型芯片的剩余修复资源;
确定所述第一类型芯片的待修复失效单元,所述待修复失效单元为所述第一类型芯片中的全部失效单元经过自身的修复资源修复后剩余部分;
根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复,包括:
当根据所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片的待修复失效单元进行修复时,记录所述剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址;
根据剩余修复资源的地址及所述待修复失效单元的地址构建修复关系,所述修复关系用于当检测到控制指令对所述第一类型芯片的所述待修复失效单元执行目标操作时,根据所述修复关系控制对应的所述第二类型芯片的所述剩余修复资源的地址执行所述目标操作。
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