[发明专利]三维存储器的制备方法

说明书

本申请提供了三维存储器的制备方法，其中，制备方法具体包括：提供初始三维存储器，初始三维存储器包括堆叠设置的第一衬底、阵列存储层、外围电路层以及第二衬底，阵列存储层、外围电路层位于第一衬底与第二衬底之间。形成覆盖初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出第一衬底背离阵列存储层的一侧表面。通过湿法刻蚀法去除至少部分第一衬底。本申请提供了的制备方法，将后续需要去除的第一衬底的一个表面露出，而其他的表面则利用刻蚀阻挡层保护起来。这样便可仅通过湿法刻蚀来去除至少部分第一衬底从而达到本申请目的，从而降低制备难度，降低制备成本。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及三维存储器的制备方法。

背景技术

由于三维存储器的功耗低、质量轻、并且属于性能优异的非易失存储产品，在电子产品中得到了越来越广泛的应用。但同时用户对三维存储器的期望值与要求也越来越高。例如，目前三维存储器在制备时通常不是在一个衬底上依次沉积各个层结构，而是先在第一衬底上沉积制备阵列存储层，再在第二衬底上沉积制备外围电路层，随后将阵列存储层与外围电路层的表面粘合在一起，最终再将第一衬底去除。但目前的去除工艺繁琐，去除成本较高。

发明内容

鉴于此，本申请提供了一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供初始三维存储器，所述初始三维存储器包括堆叠设置的第一衬底、阵列存储层、外围电路层以及第二衬底，所述阵列存储层、所述外围电路层位于所述第一衬底与所述第二衬底之间；

形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面；以及

通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底。

本申请提供了的制备方法，通过在阵列存储层与外围电路层的表面连接在一起之后，形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面。也可以理解为，将后续需要去除的第一衬底的一个表面露出，而其他的表面则利用刻蚀阻挡层保护起来。其中，蚀刻阻挡层可避免初始三维存储器的其他层结构被后续的刻蚀液所腐蚀，随后这样便可仅通过湿法刻蚀来去除至少部分第一衬底从而达到本申请目的。

综上所述，相比现有技术中先研磨，在湿法刻蚀的制备方法来说，本申请提供的制备方法可降低制备难度，降低制备成本。

其中，“通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底”包括：

通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底；其中，刻蚀液包括氟化氢、双氧水、以及水。

其中，“通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底”包括：

通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底；其中，所述刻蚀液还包括催化剂，所述催化剂包括银。

其中，在“通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底”之前，还包括：

向所述刻蚀液中加入含有银离子的溶液；或者，形成覆盖所述第一衬底背离所述阵列存储层一侧表面的催化剂层，所述催化剂层的材质包括银。

其中，“形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面”包括：

提供基台，将所述初始三维存储器设于所述基台上，且使所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面抵接所述基台；

形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面。

其中，“形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层”包括：

提供刻蚀阻挡液，采用旋涂法将所述刻蚀阻挡液旋涂至所述第二衬底背离所述外围电路层的一侧表面，以形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层。