[发明专利]三维存储器的制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供初始三维存储器，所述初始三维存储器包括堆叠设置的第一衬底、阵列存储层、外围电路层以及第二衬底，所述阵列存储层、所述外围电路层位于所述第一衬底与所述第二衬底之间；

形成覆盖所述初始三维存储器的刻蚀阻挡层，并露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面；以及

通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底”包括：

通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底；其中，刻蚀液包括氟化氢、双氧水、以及水。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，“通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底”包括：

通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底；其中，所述刻蚀液还包括催化剂，所述催化剂包括银。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在“通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底”之前，还包括：

向所述刻蚀液中加入含有银离子的溶液；或者，形成覆盖所述第一衬底背离所述阵列存储层一侧表面的催化剂层，所述催化剂层的材质包括银。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面”包括：

提供基台，将所述初始三维存储器设于所述基台上，且使所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面抵接所述基台；

形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，“形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层”包括：

提供刻蚀阻挡液，采用旋涂法将所述刻蚀阻挡液旋涂至所述第二衬底背离所述外围电路层的一侧表面，以形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面”包括：

形成覆盖所述初始三维存储器周侧面的刻蚀阻挡层；

去除所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面的所述刻蚀阻挡层，以露出所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层”包括：

形成覆盖所述初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层；其中，所述蚀刻阻挡层的材质包括聚苯乙烯。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在“通过湿法刻蚀法去除至少部分所述第一衬底”之后，还包括：

采用高温分解法去除所述刻蚀阻挡层；或者，采用干法刻蚀法去除所述蚀刻阻挡层。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，当去除部分所述第一衬底时，在“去除所述刻蚀阻挡层”之后，还包括：

平坦化所述第一衬底背离所述阵列存储层的一侧表面。

11.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述阵列存储层包括设于所述第一衬底一侧的台阶结构；覆盖所述衬底与所述台阶结构的平坦层；贯穿所述平坦层并连接所述衬底及所述台阶部的导电件；当通过湿法刻蚀法去除部分所述第一衬底时，在“去除所述刻蚀阻挡层”之后，还包括：

形成贯穿所述第一衬底的通孔，以露出所述导电件；

形成覆盖所述通孔的电连接件，并使所述电连接件连接所述导电件；以及

形成覆盖所述第一衬底与所述电连接件的功能层。