[发明专利]一种提高闪存读取速度的方法、系统、设备和存储介质

说明书

本申请涉及存储器件的领域，尤其是涉及一种提高闪存读取速度的方法、系统、设备和存储介质，该方法包括：响应启动指令输出重读指令；响应所述重读指令依次调取电压阙值档位表中不同的电压阙值档位组进行重读操作；当重读操作成功时，将对应的电压阙值档位组调整到靠前的位次，形成新的电压阙值档位表供下次重读操作使用。本申请动态调整电压阙值档位表中电压阙值档位组的顺序，始终保证最有效的电压阙值档位组排序靠前，以保证最有效的电压阙值档位组最优先被使用，从而减少重读次数，提高闪存的读取速度。

技术领域

本申请涉及存储器件的领域，尤其是涉及一种提高闪存读取速度的方法、系统、设备和存储介质。

背景技术

NAND Flash是Flash内存的一种，属于非易失性存储设备，由于NAND Flash的特性决定，Flash的每页数据划分成一个或多个ECC block，数据写入时，每个ECC block都要进行ECC纠错编码；读出数据时，每个ECC block进行ECC纠错解码，以保证这个ECC block的数据正确。ECC的全称是Error Checking and Correction，是一种用于NAND的差错检测和修正算法。在NAND存储单元中，先天就有一些是坏掉的或者不稳定的，并且随着NAND的不断使用，坏的存储单元会越来越多。所以，用户写入到NAND的数据，必须有ECC保护，这样即使其中的一些比特发生反转，读取的时候也能通过ECC纠正过来。

ECC可纠错比特数有一定范围，超出该范围时，即发生了ECC无法纠正过来的错误。此时需要重读（Read Retry）该ECC block，即通过参数调整改变当前读电压的偏移量，重新读取数据并配合ECC进行纠错，如果参数调整方法不合理，会造成多次读取和校验，从而因读取次数太多而影响NAND控制器的性能，导致NAND Flash的读取速度很慢。

发明内容

为了提高闪存的读取速度，本申请提供了一种提高闪存读取速度的方法、系统、设备和存储介质。

第一方面，本申请提供一种提高闪存读取速度的方法，采用如下的技术方案：

一种提高闪存读取速度的方法，包括：

响应启动指令输出重读指令；

响应所述重读指令依次调取电压阙值档位表中不同的电压阙值档位组进行重读操作；

当重读操作成功时，将对应的电压阙值档位组调整到靠前的位次，形成新的电压阙值档位表供下次重读操作使用。

通过采用上述技术方案，动态调整电压阙值档位表中电压阙值档位组的顺序，始终保证最有效的电压阙值档位组排序靠前，以保证最有效的电压阙值档位组最优先被使用，从而减少重读次数，提高闪存的读取速度。

可选的，所述调取电压阙值档位表中不同的电压阙值档位组进行重读操作之后，调用纠错比较模块进行判断，当所述纠错比较模块判断通过后判定为重读操作成功。

通过采用上述技术方案，应用不同的电压阙值档位组进行重读操作时，芯片内部硬件的纠错比较模块判断读出的数据，是否为原来写入的数据；若是，则判定为重读操作成功；若否，则继续调取电压阙值档位表中靠后的电压阙值档位组，再次进行重读操作。

可选的，所述电压阙值档位表包括一默认值组、第一电压阙值档位组、第二电压阙值档位组、……和第N电压阙值档位组。

通过采用上述技术方案，电压阙值档位表包括一默认值组和若干电压阙值档位组，每次重读操作成功后，需恢复到默认值组，当再次进行重读时，首先调取默认值组；若干电压阙值档位组中的具体阈值由具体页的情况而定，而非固定值。

可选的，所述将对应的电压阙值档位组调整到靠前的位次，包括：将所述对应的电压阙值档位组与所述第一电压阙值档位组对调位置。