[发明专利]一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法

权利要求书

1.一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)选取表面平整的压电单晶和测试样品，将原位芯片固定在样品台上；

(2)在压电单晶上，采用离子束刻蚀得到单晶长方体，再将单晶长方体转移至原位芯片边缘，并采用离子束沉积铂将单晶长方体固定在原位芯片上；

(3)在测试样品上，采用离子束刻蚀得到样品长方体，并将样品长方体转移至单晶长方体一侧，继续利用离子束沉积铂使得单晶长方体与样品长方体之间连接；

(4)采用离子束沉积的铂作为导线，将单晶长方体的两端分别连接原位芯片的两个电极，再将样品长方体的两端连接到原位芯片的另外两个电极上，得到测试试样；

(5)将测试试样放入透射电镜原位样品杆上，用漆包线和导电银胶将原位芯片上的电极与透射电镜原位样品杆上的电极相连，再将透射电镜原位样品杆插入透射电子显微镜中；

(6)对测试试样中的单晶长方体施加正向电压和/或反向电压，使得其产生压应力和/或拉应力，并传导至样品长方体上，即完成。

2.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，步骤(2)中，单晶长方体由压电单晶沿(100)晶向获得。

3.根据权利要求1或2所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，步骤(2)中，单晶长方体的尺寸为长8μm×宽4μm×厚1μm。

4.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，步骤(3)中，单晶长方体与样品长方体之间保持紧密接触固定。

5.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，步骤(3)中，沉积在单晶长方体与样品长方体之间的铂的厚度为0.1-0.3μm。

6.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，步骤(4)中，离子束沉积得到的铂导线的宽度为0.5-1.5μm，厚度为300-500nm。

7.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，将测试试样放在透射电镜原位样品杆之前，先调整测试试样的角度，使得原位芯片垂直于离子束方向，再利用离子束沉积铂来进一步固定单晶长方体与样品长方体之间的连接处。

8.根据权利要求7所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，对单晶长方体与样品长方体之间的连接处沉积完成后，采用离子束刻蚀加工单晶长方体与样品长方体上位于相邻两导线之间的区域。

9.根据权利要求8所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，离子束刻蚀的深度为100nm。

10.根据权利要求1所述的一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，其特征在于，放在透射电镜原位样品杆上的测试试样的观测区域采用离子束刻蚀减薄至100nm以下。