[发明专利]功率半导体模块在审

专利信息
申请号: 202110295187.2 申请日: 2021-03-19
公开(公告)号: CN113451225A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 宫田俊彦 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 模块
【说明书】:

提供能够确保绝缘性的功率半导体模块。在由电路图案(3a)、树脂绝缘层(3b)和基座板(3c)构成的树脂绝缘基座板(3)搭载有半导体元件(1),将树脂绝缘基座板(3)包围的壳体(4)和树脂绝缘层(3b)通过粘接剂(5)而粘接。粘接剂(5)与封装树脂(8)为相同材料,填充于被在壳体(4)的树脂绝缘层(3b)这一侧形成的锥形部(4a)和树脂绝缘层(3b)包围的区域,将树脂绝缘层(3b)和壳体(4)粘接,粘接剂(5)中的气泡(9)配置于处在与树脂绝缘层(3b)相反侧的锥形部(4a)这一侧。

技术领域

本发明涉及功率半导体模块。

背景技术

就以往的半导体装置而言,在壳体与基座板的上表面之间,通过具有厚的胶瘤形状的粘接剂而固定了基座板和壳体。(例如,参照专利文献1)

专利文献1:日本特开2019-96797号公报(第0013~0016段,图1~2)

但是,当使用在壳体内填充的封装树脂这样的粘度大的粘接剂的情况下,流动性下降,容易产生气泡,因此有时在绝缘基板之上绝缘不足。

发明内容

本发明就是为了解决上述这样的问题而提出的,其目的在于提供确保绝缘性的功率半导体模块。

本发明涉及的功率半导体模块具有:树脂绝缘基座板,其搭载有半导体元件;壳体,其将树脂绝缘基座板包围;封装树脂,其封装于被树脂绝缘基座板和壳体包围的区域;以及粘接剂,其将树脂绝缘基座板和壳体粘接,粘接剂被壳体和树脂绝缘基座板包围,填充于在壳体的树脂绝缘基座板这一侧形成的锥形部。

发明的效果

根据本发明涉及的功率半导体模块,能够在功率半导体模块内确保绝缘性。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。

图2是表示实施方式1涉及的功率半导体模块的变形例的剖视图。

图3是表示实施方式2涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。

图4是表示实施方式3涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。

具体实施方式

实施方式1.

一边使用附图,一边对实施方式1涉及的功率半导体模块的结构进行说明。图1是表示功率半导体模块的结构的剖视图。

以逆变器装置、加工装置、工业机器人等工业用途为首,功率半导体模块100得到广泛应用。如图1所示,功率半导体模块100由半导体元件1、树脂绝缘基座板3、壳体4、电极端子6、金属导线7、封装树脂8构成。壳体4与树脂绝缘基座板3在壳体4与树脂绝缘基座板3的树脂绝缘层3b之间通过粘接剂5而粘接、固定。

在树脂绝缘基座板3搭载有至少大于或等于1个半导体元件1。能够根据功率半导体模块100的规格而搭载所需个数的半导体元件1。

半导体元件1由Si构成,是对电力进行控制的所谓电力半导体元件。例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)、FWD(Free Wheeling Diode)。半导体元件1的一边为3mm~15mm。此外,不限于是Si,也可以是诸如SiC或者GaN这样的宽带隙半导体的元件。

另外,半导体元件1经由接合材料2而搭载于树脂绝缘基座板3的电路图案3a。接合材料2是包含Sn的导电性金属,是所谓焊料。此外,由于半导体元件1发热,因此,接合材料2不限定于焊料,也可以是与焊料相比导热率大的具有散热性的烧结材料。

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