[发明专利]功率半导体模块在审
申请号: | 202110295187.2 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113451225A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 宫田俊彦 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/10 | 分类号: | H01L23/10 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 | ||
提供能够确保绝缘性的功率半导体模块。在由电路图案(3a)、树脂绝缘层(3b)和基座板(3c)构成的树脂绝缘基座板(3)搭载有半导体元件(1),将树脂绝缘基座板(3)包围的壳体(4)和树脂绝缘层(3b)通过粘接剂(5)而粘接。粘接剂(5)与封装树脂(8)为相同材料,填充于被在壳体(4)的树脂绝缘层(3b)这一侧形成的锥形部(4a)和树脂绝缘层(3b)包围的区域,将树脂绝缘层(3b)和壳体(4)粘接,粘接剂(5)中的气泡(9)配置于处在与树脂绝缘层(3b)相反侧的锥形部(4a)这一侧。
技术领域
本发明涉及功率半导体模块。
背景技术
就以往的半导体装置而言,在壳体与基座板的上表面之间,通过具有厚的胶瘤形状的粘接剂而固定了基座板和壳体。(例如,参照专利文献1)
专利文献1:日本特开2019-96797号公报(第0013~0016段,图1~2)
但是,当使用在壳体内填充的封装树脂这样的粘度大的粘接剂的情况下,流动性下降,容易产生气泡,因此有时在绝缘基板之上绝缘不足。
发明内容
本发明就是为了解决上述这样的问题而提出的,其目的在于提供确保绝缘性的功率半导体模块。
本发明涉及的功率半导体模块具有:树脂绝缘基座板,其搭载有半导体元件;壳体,其将树脂绝缘基座板包围;封装树脂,其封装于被树脂绝缘基座板和壳体包围的区域;以及粘接剂,其将树脂绝缘基座板和壳体粘接,粘接剂被壳体和树脂绝缘基座板包围,填充于在壳体的树脂绝缘基座板这一侧形成的锥形部。
发明的效果
根据本发明涉及的功率半导体模块,能够在功率半导体模块内确保绝缘性。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。
图2是表示实施方式1涉及的功率半导体模块的变形例的剖视图。
图3是表示实施方式2涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。
图4是表示实施方式3涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。
具体实施方式
实施方式1.
一边使用附图,一边对实施方式1涉及的功率半导体模块的结构进行说明。图1是表示功率半导体模块的结构的剖视图。
以逆变器装置、加工装置、工业机器人等工业用途为首,功率半导体模块100得到广泛应用。如图1所示,功率半导体模块100由半导体元件1、树脂绝缘基座板3、壳体4、电极端子6、金属导线7、封装树脂8构成。壳体4与树脂绝缘基座板3在壳体4与树脂绝缘基座板3的树脂绝缘层3b之间通过粘接剂5而粘接、固定。
在树脂绝缘基座板3搭载有至少大于或等于1个半导体元件1。能够根据功率半导体模块100的规格而搭载所需个数的半导体元件1。
半导体元件1由Si构成,是对电力进行控制的所谓电力半导体元件。例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)、FWD(Free Wheeling Diode)。半导体元件1的一边为3mm~15mm。此外,不限于是Si,也可以是诸如SiC或者GaN这样的宽带隙半导体的元件。
另外,半导体元件1经由接合材料2而搭载于树脂绝缘基座板3的电路图案3a。接合材料2是包含Sn的导电性金属,是所谓焊料。此外,由于半导体元件1发热,因此,接合材料2不限定于焊料,也可以是与焊料相比导热率大的具有散热性的烧结材料。
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