[发明专利]发光元件在审
申请号: | 202110294848.X | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN113113517A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 陈昭兴;王佳琨;庄文宏;曾咨耀;吕政霖;许启祥;蒋宗勋;胡柏均 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包含:
半导体叠层,具有第一半导体层,第二半导体层,以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间;
第一绝缘层,位于该半导体叠层上,包含开口以露出该第二半导体层;
反射结构,位于该第二半导体层上,且与该第二半导体层电连接;
第二绝缘层,位于该反射结构上,包含第二绝缘层开口以露出该反射结构;
第一焊垫,与该第一半导体层电连接;
第二焊垫,与该第二半导体层电连接;
第一接触层,位于该第二半导体层及该第一焊垫之间;以及
第二接触层,位于该第二半导体层及该第二焊垫之间并形成于该第二绝缘层开口中以与该反射结构接触,其中该第二绝缘层包含中央部及边缘部通过该第二绝缘层开口与该中央部隔开,该第二焊垫于该半导体叠层上具有投影面积,该中央部位于该投影面积内。
2.一种发光元件,其特征在于,包含:
半导体叠层,具有第一半导体层,第二半导体层,以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间;
反射结构,位于该第二半导体层上,且与该第二半导体层电连接;
绝缘层,位于该半导体叠层及该反射结构上,包含一开口以露出该反射结构;
电极层,位于该绝缘层上,经由该开口与该反射结构电连接;
金属层,位于该绝缘层上,与该电极层电性绝缘,其中在该发光元件的上视图上,该金属层与该电极层相隔一间距,且该金属层具有凹部,该电极层具有凸部,该凸部伸入该凹部中。
3.如权利要求1或2所述的发光元件,包含多个孔部穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层,该多个孔部排列成第一列与第二列,其中位于该第一列上的两相邻孔部之间包含第一最短距离,位于该第一列上的孔部与位于该第二列上的孔部之间包含第二最短距离,该第一最短距离大于或小于该第二最短距离。
4.如权利要求1或2所述的发光元件,还包含多个孔部穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层,其中该第一半导体层具有外侧壁,两相邻孔部之间包含第一最短距离,该多个孔部之一与该外侧壁之间包含第二最短距离,该第一最短距离小于该第二最短距离。
5.如权利要求1所述的发光元件,该第二焊垫的形状为梳状。
6.如权利要求1所述的发光元件,还包含一或多个孔部穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层,于该发光元件的上视图上,该一或多个孔部形成于该第一焊垫及该第二焊垫以外的区域,或该一或多个孔部被该第一焊垫覆盖,其中该第二绝缘层还包含第一群组的第二绝缘层开口位于该第一半导体层上且分别对应该一或多个孔部。
7.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二接触层包覆该中央部。
8.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二绝缘层开口包含上视图形状为环状的环状开口。
9.如权利要求8所述的发光元件,还包含第三绝缘层位于该第二绝缘层上,该第三绝缘层包含第三绝缘层开口以露出该第二接触层,其中在该发光元件的上视图上,该第三绝缘层开口为该环状开口所环绕。
10.如权利要求2所述的发光元件,其中该金属层与该电极层包含相同的金属材料及/或具有相同的金属叠层。
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