[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110294739.8 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113497107A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 裴哲敏;李周炫;韩智慧;白炅旼;崔新逸 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
根据实施方式的显示装置包括:基板;在基板上的第一补偿层;在第一补偿层上的缓冲层;在缓冲层上的半导体层;连接至半导体层的包括源电极和漏电极的数据线;以及连接至漏电极的发光装置,其中第一补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,并且第一补偿层的N‑H键和Si‑H键的比例为10至60。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年3月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0033963的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及显示装置,并且本公开尤其涉及通过使用补偿层来防止显示装置弯曲的显示装置。
背景技术
显示装置显示图像,并且最近,发光二极管显示器作为自发光二极管显示器已经受到高度关注。
发光二极管显示器具有自发射特性,因此与液晶显示装置不同,发光二极管显示器不需要另外的光源。通过避免另外的光源,发光二极管显示器具有减少的厚度和重量。进一步,发光二极管显示器表现出高质量特性,比如低功耗、高亮度和高反应速度。
一般而言,发光二极管显示器包括基板、提供在基板上的薄膜晶体管、设置在构成薄膜晶体管的导线中间的绝缘层,以及连接至薄膜晶体管的发光装置,并且发光装置可示例性地为有机发光元件。
导线可为粗的,以便减少导线的电阻。然而,当导线变粗时,显示装置可因为导线中包括的金属的特性而弯曲。
上面在该背景技术部分中公开的信息仅用于增强对背景技术的理解,并且因此其可含有不形成对本领域普通技术人员在该国中已知的现有技术的信息。
发明内容
实施方式已经致力于提供用于防止显示装置弯曲的显示装置。
实施方式提供了显示装置,所述显示装置包括:基板;在基板上的第一补偿层;在第一补偿层上的缓冲层;在缓冲层上的半导体层;连接至半导体层的包括源电极和漏电极的数据线;以及连接至漏电极的发光装置。第一补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,并且第一补偿层的N-H键和Si-H键的比例为10至60。
第一补偿层的应力可为-400MPa至-1600MPa。
第一补偿层的厚度可为至
第一补偿层的氢含量可等于或小于15%。
半导体层可包括氧化物半导体,并且数据线可包括铜。
数据线的厚度可等于或大于
显示装置可进一步包括在缓冲层和半导体层之间的第二补偿层,其中第二补偿层的应力可为-400MPa至-1600MPa。
第二补偿层可包括SiNx,x为选自1至4的整数,第二补偿层的N-H键和Si-H键的比例可为10至60,并且第二补偿层的氢含量可等于或小于15%。
显示装置可进一步包括:在半导体层和数据线之间的夹层绝缘层;以及在夹层绝缘层和数据线之间的第三补偿层,其中第三补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,并且第三补偿层的N-H键和Si-H键的比例为10至60。
第三补偿层的应力可为-400MPa至-1600MPa,并且第三补偿层的氢含量可等于或小于15%。
显示装置可进一步包括:在数据线和发光装置之间的有机层;以及在有机层和数据线之间的第四补偿层,其中第四补偿层可包括SiNx,x为选自1至4的整数,并且第四补偿层的氢含量可等于或小于15%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的