[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110294739.8 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113497107A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 裴哲敏;李周炫;韩智慧;白炅旼;崔新逸 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板;
在所述基板上的第一补偿层;
在所述第一补偿层上的缓冲层;
在所述缓冲层上的半导体层;
连接至所述半导体层的包括源电极和漏电极的数据线;以及
连接至所述漏电极的发光装置,
其中所述第一补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,并且
所述第一补偿层的N-H键和Si-H键的比例为10至60。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述第一补偿层的应力为-400MPa至-1600MPa。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述第一补偿层的厚度为至
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述第一补偿层的氢含量等于或小于15%。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述半导体层包括氧化物半导体,并且
所述数据线包括铜。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述数据线的厚度等于或大于
7.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
在所述缓冲层和所述半导体层之间的第二补偿层,
其中所述第二补偿层的应力为-400MPa至-1600MPa。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中
所述第二补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,
所述第二补偿层的N-H键和Si-H键的比例为10至60,并且
所述第二补偿层的氢含量等于或小于15%。
9.根据权利要求7所述的显示装置,进一步包括:
在所述半导体层和所述数据线之间的夹层绝缘层;以及
在所述夹层绝缘层和所述数据线之间的第三补偿层,
其中所述第三补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,并且
所述第三补偿层的N-H键和Si-H键的比例为10至60。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中
所述第三补偿层的应力为-400MPa至-1600MPa,并且
所述第三补偿层的氢含量等于或小于15%。
11.根据权利要求9所述的显示装置,进一步包括:
在所述数据线和所述发光装置之间的有机层;以及
在所述有机层和所述数据线之间的第四补偿层,
其中所述第四补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,并且
所述第四补偿层的氢含量等于或小于15%。
12.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
在所述半导体层和所述数据线之间的夹层绝缘层;以及
在所述夹层绝缘层和所述数据线之间的第三补偿层,
其中所述第三补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,
所述第三补偿层的应力为-400MPa至-1600MPa,并且
所述第三补偿层的氢含量等于或小于15%。
13.根据权利要求12所述的显示装置,进一步包括:
在所述数据线和所述发光装置之间的有机层;以及
在所述有机层和所述数据线之间的第四补偿层,
其中所述第四补偿层包括SiNx,x为选自1至4的整数,并且
所述第四补偿层的N-H键和Si-H键的比例为10至60。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的