[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

电源轨；

第一源极/漏极部件，设置在所述电源轨上方；

通孔，将所述电源轨连接到所述第一源极/漏极部件；

隔离部件，设置在所述第一源极/漏极部件上方；以及

第二源极/漏极部件，设置在所述隔离部件上方，其中所述第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件具有相反的导电类型。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一源极/漏极部件是p型，并且所述第二源极/漏极部件是n型。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第三源极/漏极部件，设置在所述电源轨上方；

第四源极/漏极部件，设置在所述第三源极/漏极部件上方；

第一沟道层，连接所述第一源极/漏极部件和第三源极/漏极部件；

第二沟道层，位于所述第一沟道层上方并连接所述第二源极/漏极部件和第四源极/漏极部件；以及

栅极结构，接合所述第一沟道层和第二沟道层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，还包括：

第二隔离部件，设置在所述第三源极/漏极部件和所述第四源极/漏极部件之间。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第三源极/漏极部件直接接触所述第四源极/漏极部件。

6.根据权利要求3所述的半导体结构，还包括：

第二电源轨，设置在所述第四源极/漏极部件上方；以及

第二通孔，将所述第二电源轨连接到所述第四源极/漏极部件。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二通孔，设置在所述第二源极/漏极部件上方并连接到所述第二源极/漏极部件。

8.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供一种结构，具有衬底、具有交替地堆叠在所述衬底上方的第一半导体层和第二半导体层的堆叠件的鳍、位于所述鳍上方的牺牲栅极结构、以及位于所述牺牲栅极结构的侧壁上的栅极间隔件；

蚀刻与所述栅极间隔件相邻的鳍，以形成第一源极/漏极沟槽和第二源极/漏极沟槽；

横向凹进暴露在所述第一源极/漏极沟槽和第二源极/漏极沟槽中的第二半导体层以形成间隙；

在所述间隙中形成内部间隔件；

在所述第一源极/漏极沟槽和第二源极/漏极沟槽中分别外延生长第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件；

部分地去除所述第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件；

在所述部分地去除之后，形成覆盖所述第二源极/漏极部件并暴露所述第一源极/漏极部件的硬掩模；

在所述硬掩模就位的情况下，在所述第一源极/漏极部件上方沉积隔离材料；

去除所述硬掩模；以及

在所述隔离材料上方外延生长第三源极/漏极部件，并在所述第二源极/漏极部件上方外延生长第四源极/漏极部件，其中所述第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件具有第一导电类型，所述第三源极/漏极部件和第四源极类型源极/漏极部件具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

9.根据权利要求8所述的形成半导体结构的方法，在所述外延生长所述第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之前，还包括：

对所述第一源极/漏极沟槽执行额外的蚀刻；以及

在所述额外的蚀刻所述执行之后，将伪材料沉积到第一源极/漏极沟槽中，其中，所述第一源极/漏极部件生长在所述伪材料上方。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供一种结构，具有衬底以及位于所述衬底上方的第一区域、第二区域和第三区域，所述第三区域具有在所述衬底上方交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层的堆叠件；

在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的每个中蚀刻源极/漏极沟槽，其中在所述第三区域中的源极/漏极沟槽被蚀刻到所述第一半导体层和所述第二半导体层的堆叠件中；

形成覆盖所述第一区域并暴露所述第二区域和所述第三区域的第一硬掩模；

在所述第一硬掩模就位的情况下，在所述第二区域和所述第三区域的所述源极/漏极沟槽中外延生长第一类型的源极/漏极部件；

形成覆盖所述第二区域并暴露所述第三区域的第二硬掩模；

在所述第一硬掩模和所述第二硬掩模就位的情况下，在所述第三区域中部分地凹进所述源极/漏极部件；

在所述部分地凹陷之后，形成暴露所述第三区域中的所述源极/漏极部件的第一个并且覆盖所述第三区域中的所述源极/漏极部件的第二个的第三硬掩模；以及

在所述第一硬掩模、所述第二硬掩模和所述第三硬掩模就位的情况下，在所述第三区域中的所述源极/漏极部件的所述第一个上沉积隔离材料。