[发明专利]一种MEMS电容式流量传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110289533.6 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN112683348B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 李维平;兰之康 申请(专利权)人: 南京高华科技股份有限公司
主分类号: G01F1/56 分类号: G01F1/56;B81B7/02
代理公司: 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 代理人: 李明;赵吉阳
地址: 210049 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 mems 电容 流量传感器 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提出一种MEMS电容式流量传感器,包括:衬底;绝缘层,所述绝缘层设置在所述衬底上;第一电极、第二电极,所述第一电极、第二电极间隔设置在所述绝缘层上;微流道,所述微流道设置在所述绝缘层上;其中,所述微流道包括弧形的底壁,所述底壁包括第一介质层、第二介质层,以及夹设在所述第一介质层、所述第二介质层之间的第三电极;所述第三电极分别与所述第一电极、第二电极构成所述MEMS电容式流量传感器的第一敏感电容、第二敏感电容。本发明的传感器具有高线性度、高灵敏度的优点;且可采用MEMS加工工艺进行高精度、高一致性、低成本、批量化和微型化的制备。

技术领域

本发明涉及微机电系统(MEMS)领域,具体涉及一种MEMS电容式流量传感器及其制备方法。

背景技术

传统的流量传感器通常包括应变式流量传感器和涡轮式流量传感器,通常存在体积大,成本高,精度低等缺点。近几年来,伴随MEMS技术的蓬勃发展,涌现出许多MEMS流量传感器,相比于传统的流量传感器,MEMS流量传感器具有灵敏度高、精度高、体积小及成本低等优点。常见MEMS流量传感器包括压阻式MEMS流量传感器、压电式MEMS流量传感器和电容式MEMS流量传感器等。其中压阻式MEMS流量传感器线性度高,但是受环境温度影响较大;压电式MEMS流量传感器结构简单,但与周围介质的阻抗匹配较差;电容式MEMS流量传感器受环境影响较小,与周围介质的阻抗匹配较好,但普遍存在线性度差的问题。

发明内容

为了解决本领域流量传感器存在的一些问题,本发明提出一种MEMS电容式流量传感器及其制备方法,它具有线性度高、灵敏度高、结构和制备工艺简单等优点。

具体地,本发明所提出的技术方案如下:

一种MEMS电容式流量传感器,所述MEMS电容式流量传感器包括:

衬底;

绝缘层,所述绝缘层设置在所述衬底上;

第一电极、第二电极,所述第一电极、第二电极间隔设置在所述绝缘层上;

微流道,所述微流道设置在所述绝缘层上;

其中,所述微流道包括弧形的底壁,所述底壁包括第一介质层、第二介质层,以及夹设在所述第一介质层、所述第二介质层之间的第三电极;

所述第三电极分别与所述第一电极、第二电极构成所述MEMS电容式流量传感器的第一敏感电容、第二敏感电容。

可选地,还包括设置在所述微流道上的盖板,所述盖板封闭所述微流道。

可选地,所述第一介质层与所述第二介质层的材料及厚度相同。

可选地,所述第一电极与所述第二电极对称设置在所述微流道的两侧。

可选地,所述盖板为电绝缘材料。

本发明还提出一种MEMS电容式流量传感器的制备方法,包括以下步骤:

选择衬底,

在所述衬底上形成绝缘层;

在所述绝缘层上形成间隔设置的第一电极、第二电极;

在所述绝缘层上形成牺牲层;

刻蚀所述牺牲层,形成微流道的弧形形状;

在所述牺牲层的上表面形成第一介质层;

在所述第一介质层上形成第三电极层;

在所述第三电极层上形成第二介质层;

去除所述牺牲层,释放所述微流道。

可选地,还包括在所述微流道上设置盖板的步骤。

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