[发明专利]一种MEMS电容式流量传感器及其制备方法有效
申请号: | 202110289533.6 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN112683348B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 李维平;兰之康 | 申请(专利权)人: | 南京高华科技股份有限公司 |
主分类号: | G01F1/56 | 分类号: | G01F1/56;B81B7/02 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 李明;赵吉阳 |
地址: | 210049 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mems 电容 流量传感器 及其 制备 方法 | ||
本发明提出一种MEMS电容式流量传感器,包括:衬底;绝缘层,所述绝缘层设置在所述衬底上;第一电极、第二电极,所述第一电极、第二电极间隔设置在所述绝缘层上;微流道,所述微流道设置在所述绝缘层上;其中,所述微流道包括弧形的底壁,所述底壁包括第一介质层、第二介质层,以及夹设在所述第一介质层、所述第二介质层之间的第三电极;所述第三电极分别与所述第一电极、第二电极构成所述MEMS电容式流量传感器的第一敏感电容、第二敏感电容。本发明的传感器具有高线性度、高灵敏度的优点;且可采用MEMS加工工艺进行高精度、高一致性、低成本、批量化和微型化的制备。
技术领域
本发明涉及微机电系统(MEMS)领域,具体涉及一种MEMS电容式流量传感器及其制备方法。
背景技术
传统的流量传感器通常包括应变式流量传感器和涡轮式流量传感器,通常存在体积大,成本高,精度低等缺点。近几年来,伴随MEMS技术的蓬勃发展,涌现出许多MEMS流量传感器,相比于传统的流量传感器,MEMS流量传感器具有灵敏度高、精度高、体积小及成本低等优点。常见MEMS流量传感器包括压阻式MEMS流量传感器、压电式MEMS流量传感器和电容式MEMS流量传感器等。其中压阻式MEMS流量传感器线性度高,但是受环境温度影响较大;压电式MEMS流量传感器结构简单,但与周围介质的阻抗匹配较差;电容式MEMS流量传感器受环境影响较小,与周围介质的阻抗匹配较好,但普遍存在线性度差的问题。
发明内容
为了解决本领域流量传感器存在的一些问题,本发明提出一种MEMS电容式流量传感器及其制备方法,它具有线性度高、灵敏度高、结构和制备工艺简单等优点。
具体地,本发明所提出的技术方案如下:
一种MEMS电容式流量传感器,所述MEMS电容式流量传感器包括:
衬底;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述衬底上;
第一电极、第二电极,所述第一电极、第二电极间隔设置在所述绝缘层上;
微流道,所述微流道设置在所述绝缘层上;
其中,所述微流道包括弧形的底壁,所述底壁包括第一介质层、第二介质层,以及夹设在所述第一介质层、所述第二介质层之间的第三电极;
所述第三电极分别与所述第一电极、第二电极构成所述MEMS电容式流量传感器的第一敏感电容、第二敏感电容。
可选地,还包括设置在所述微流道上的盖板,所述盖板封闭所述微流道。
可选地,所述第一介质层与所述第二介质层的材料及厚度相同。
可选地,所述第一电极与所述第二电极对称设置在所述微流道的两侧。
可选地,所述盖板为电绝缘材料。
本发明还提出一种MEMS电容式流量传感器的制备方法,包括以下步骤:
选择衬底,
在所述衬底上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成间隔设置的第一电极、第二电极;
在所述绝缘层上形成牺牲层;
刻蚀所述牺牲层,形成微流道的弧形形状;
在所述牺牲层的上表面形成第一介质层;
在所述第一介质层上形成第三电极层;
在所述第三电极层上形成第二介质层;
去除所述牺牲层,释放所述微流道。
可选地,还包括在所述微流道上设置盖板的步骤。
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