[发明专利]一种MEMS电容式流量传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110289533.6 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112683348B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李维平;兰之康 | 申请（专利权）人： | 南京高华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01F1/56 | 分类号： | G01F1/56;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 210049 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 电容 流量传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种MEMS电容式流量传感器，其特征在于，所述MEMS电容式流量传感器包括：
衬底；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底上；
第一电极、第二电极，所述第一电极、第二电极间隔设置在所述绝缘层上；
微流道，所述微流道设置在所述绝缘层上；
其中，所述微流道包括弧形的底壁，所述底壁包括第一介质层、第二介质层，以及夹设在所述第一介质层、所述第二介质层之间的第三电极，所述弧形的底壁在流体作用下产生弯曲；
所述第三电极分别与所述第一电极、第二电极构成所述MEMS电容式流量传感器的第一敏感电容、第二敏感电容。
2.根据权利要求1所述的MEMS电容式流量传感器，其特征在于，还包括设置在所述微流道上的盖板，所述盖板封闭所述微流道。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS电容式流量传感器，其特征在于，所述第一介质层与所述第二介质层的材料及厚度相同。
4.根据权利要求1所述的MEMS电容式流量传感器，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极对称设置在所述微流道的两侧。
5.根据权利要求2所述的MEMS电容式流量传感器，其特征在于，所述盖板为电绝缘材料。
6.一种MEMS电容式流量传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
选择衬底，
在所述衬底上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成间隔设置的第一电极、第二电极；
在所述绝缘层上形成牺牲层；
刻蚀所述牺牲层，形成微流道的弧形形状；
在所述牺牲层的上表面形成第一介质层；
在所述第一介质层上形成第三电极层；
在所述第三电极层上形成第二介质层；
去除所述牺牲层，释放所述微流道；其中，所述微流道具有弧形的底壁，所述底壁包括第一介质层、第二介质层，以及夹设在所述第一介质层、所述第二介质层之间的第三电极，所述弧形的底壁在流体作用下产生弯曲；所述第三电极分别与所述第一电极、第二电极构成所述MEMS电容式流量传感器的第一敏感电容、第二敏感电容。
7.根据权利要求6所述的MEMS电容式流量传感器的制备方法，其特征在于，还包括在所述微流道上设置盖板的步骤。
8.根据权利要求7所述的MEMS电容式流量传感器的制备方法，其特征在于，所述盖板为电绝缘材料。
9.根据权利要求6或7所述的MEMS电容式流量传感器的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为铝牺牲层。
10.根据权利要求6或7所述的MEMS电容式流量传感器的制备方法，其特征在于，所述形成微流道的弧形形状为刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层上形成半圆形的凹槽。
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