[发明专利]半导体发光元件

说明书

本发明公开一种半导体发光元件，其包括一基板、一第一半导体接触层位于所述的基板上、一发光叠层包含一活性层位于所述的第一半导体接触层的一上表面上、一第二半导体接触层位于所述的发光叠层上、一凹陷区露出所述的第一半导体接触层的一部分的所述的上表面、以及一透明电极层位于所述的第二半导体接触层上，其中，所述的基板的面积与所述的透明电极层的面积的比值为2至100，且于操作时，所述的半导体发光元件接收一操作电流，且所述的操作电流与所述的透明电极层的面积的比值为10mA/mm²至1000mA/mm²。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件，特别是涉及一种具有透明电极层的半导体发光元件。

背景技术

半导体发光元件具有低功率消耗、高亮度、高演色性、及体积小等优点，已广泛用于各式照明及显示器，举例而言，发光二极管直接作为显示器像素可以取代传统液晶显示器并实现更高画质的显示效果。另外，以发光二极管作为显示器的背光源并通过分区控制明暗度，则可达到显示器的高对比率。

发明内容

本发明一方面在于提供一种半导体发光元件，包括一基板、一第一半导体接触层位于所述的基板上、一发光叠层包含一活性层位于所述的第一半导体接触层的一上表面上、一第二半导体接触层位于所述的发光叠层上、一凹陷区露出所述的第一半导体接触层的一部分的所述的上表面、以及一透明电极层位于所述的第二半导体接触层上，其中，所述的基板的面积与所述的透明电极层的面积的比值为2至100，且在操作时，所述的半导体发光元件接收一操作电流，且所述的操作电流与所述的透明电极层的面积的比值为10mA/mm²至1000mA/mm²。

本发明另一方面在于提供一种半导体发光组件，包括前述的半导体发光元件以及一载板电连接所述的半导体发光元件。

本发明又一方面在于提供一种半导体发光组件，包括多个前述的半导体发光元件以及一载板电连接所述的多个半导体发光元件。

附图说明

图1A为上视示意图，显示符合本发明的半导体发光元件的第一实施例；图1B为沿图1A的剖面线A-A’的剖面示意图；

图2A为上视示意图，显示符合本发明的半导体发光元件的第二实施例；图2B为沿图2A的剖面线B-B’的剖面示意图；

图3A为上视示意图，显示符合本发明的半导体发光元件的第三实施例；图3B为沿图3A的剖面线C-C’的剖面示意图；

图4A为上视示意图，显示符合本发明的半导体发光元件的第五实施例；图4B为沿图4A的剖面线D-D’的剖面示意图；

图5为示意图，显示符合本发明的半导体发光元件接合至载板的发光组件的实施例；

图6为示意图，显示多个符合本发明的半导体发光元件接合至载板的发光组件的实施例。

符号说明

10,20,30,40 半导体发光元件

100,200,300,400 基板

100a,200a,300a,400a 元件区

100b,200b,300b,400b 非元件区

101,201,301,401 半导体叠层

101a,201a,301a,401a 活性区

101b,201b,301b,401b 凹陷区

102,202,302,402 第一半导体接触层

103,203,303,403 发光叠层

103a,20,30,40 第一半导体局限层