[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：

基板；

半导体叠层，位于该基板上，其中，该半导体叠层包含第一半导体接触层位于该基板上、发光叠层包含活性层位于该第一半导体接触层的上表面上、第二半导体接触层位于该发光叠层上、以及凹陷区露出该第一半导体接触层的一部分的该上表面；

透明电极层，位于该第二半导体接触层上；

保护层，位于该基板及该发光叠层上，包含第一开口及第二开口；

第一电极垫，位于该基板上，填入该第一开口以与该第一半导体接触层电连接；以及

第二电极垫，位于该基板上，填入该第二开口以与该透明电极层电连接；

其中，该基板的面积与该透明电极层的面积的比值为2至100，且于操作时，该半导体发光元件接收操作电流，且该操作电流与该透明电极层的面积的比值为10mA/mm²至1000mA/mm²。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，自上视观之，该第一电极垫及该第二电极垫分别包含部分区域与该活性层的区域重叠，或该第一电极垫及该第二电极垫完全位于该活性层以外的区域。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中，该第一电极垫及该第二电极垫位于该第一半导体接触层上。

4.如权利要求2所述的半导体发光元件，还包含第一连接电极，介于该保护层及该发光叠层之间。

5.如权利要求4所述的半导体发光元件，还包括电性绝缘层，介于该第一连接电极及该发光叠层之间，其中，该第一连接电极的两端分别连接该第二电极垫及该透明电极层。

6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，从上视观之，该第二电极垫与该凹陷区重叠，或该第一电极垫或该第二电极垫的面积大于或等于该透明电极层的面积。

7.如权利要求6所述的半导体发光元件，其中，从上视观之，该第二电极垫与该凹陷区重叠的面积与第二电极垫的面积的比值为大于等于0.2且小于1。

8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该基板具有长边及短边小于该长边，其中该长边为10微米至300微米，及/或该透明电极层具有长边及短边小于该长边，其中该长边为5微米至50微米。

9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该操作电流为0.01mA至2mA。

10.一种半导体发光组件，其特征在于，包括：

如权利要求1所述的半导体发光元件；以及

载板，具有两个电极垫对应地电连接该半导体发光元件的该第一电极垫及该第二电极垫。