[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管层，设置于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管层包括沿远离所述衬底基板依次设置的多层导电结构层，所述导电结构层包括沿远离所述衬底基板依次设置的导电层和绝缘层，所述绝缘层包括与所述导电层重叠的第一区域，以及与所述第一区域相邻的第二区域；至少一层所述导电结构层的绝缘层的所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度；

平坦层，设置于所述薄膜晶体管层上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，各所述导电结构层的绝缘层的第一区域的厚度小于第二区域的厚度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层由有机材料制成。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述导电结构层的绝缘层远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间具有第一最大距离和第一最小距离，所述第一最大距离与所述第一最小距离具有第一高度差，所述多层导电结构层的绝缘层的第一高度差在远离所述衬底基板的方向上逐渐减小。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，靠近所述衬底基板的导电结构层的绝缘层的第一高度差小于或等于800nm。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，靠近所述平坦层的导电结构层的绝缘层的第一高度差小于或等于600nm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层远离所述薄膜晶体管层的一侧表面与所述衬底基板之间具有第二最大距离和第二最小距离，所述第二最大距离与所述第二最小距离具有第二高度差，所述第二高度差小于或等于200nm。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括两层导电结构层，靠近所述衬底基板的导电结构层的导电层和绝缘层依次为遮光金属层和缓冲层，靠近所述平坦层的导电结构层的导电层和绝缘层依次为栅极层和层间介质层，所述缓冲层和所述栅极层之间沿远离所述衬底基板依次设置有有源层和栅极绝缘层，所述层间介质层上设置有源漏极层，所述源漏极层与所述有源层和所述遮光金属层电连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层至少一侧设置有阻隔层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阻隔层的厚度小于或等于1000埃。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括阳极层，所述阳极层设置于所述平坦层上，所述阳极层与所述源漏极层电连接。

12.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括权利要求1至11任一项所述的阵列基板；

发光器件，设置于所述阵列基板上；

封装组件，设置于所述发光器件上。

13.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上依次设置多层导电结构层，所述导电结构层包括沿远离所述衬底基板依次设置的导电层和绝缘层，所述绝缘层包括与所述导电层重叠的第一区域，以及与所述第一区域相邻的第二区域；至少一层所述导电结构层的绝缘层的所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度；

在所述多层导电结构层上形成平坦层。