[发明专利]一种无模板剂合成低硅ZSM-5分子筛的方法

权利要求书

1.一种无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，其特征在于经过如下步骤：

1)将高活性硅酸与水以及部分NaOH混合，在室温或者60℃水浴下搅拌均匀得混合物A；铝源与氢氧化钠和水混合，在室温或者60℃水浴下得到均匀的混合物B，将混合物B加入A，加入适量晶种或者不加晶种，室温下搅拌0.5～24小时形成均匀混合物。

2)将得到的混合物转移至带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢釜中，于170～190℃和自生压力下水热晶化1-5天，取出自然冷却至室温，所得产物用蒸馏水洗涤至中性后分离、干燥，最终得到目标产品。

2.按照权利要求1所述的混合物的摩尔比的范围为Na₂O∶Al₂O₃∶SiO₂∶H₂O＝1～4∶1～1.2∶25～35∶500～2000。

3.按照权利要求1所述的无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，其特征在于所述的硅源为高活性，超细颗粒硅酸。

4.按照权利要求1所述的无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，所述的铝源为拟薄水铝石、偏铝酸钠等。

5.按照权利要求1所述的无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，所述的氢氧化钠为6.000～6.500mol/L的氢氧化钠溶液。

6.按照权利要求1所述的无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，所述的干燥温度为60～80℃。

7.一种无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，实际步骤一为：将2.730g高活性硅酸加入到10.00ml蒸馏水中，并加入0.30ml，浓度为6.235mol/L的氢氧化钠溶液，在60℃水浴下充分搅拌，称为浊液A。

8.一种无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，实际步骤二为：取0.055g铝箔(99wt.％)溶解于浓度为6.235mol/L的0.66ml氢氧化钠溶液中，待反应完全后再加入10.26ml蒸馏水，称为溶液B。

9.一种无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，实际步骤三为：将溶液B倒入浊液A中，并加入0.05g ZSM-5沸石的晶种继续搅拌1小时形成均匀的混合物。

10.一种无模板剂合成低硅ZSM-5沸石的方法，实际步骤四为：将混合物转入到带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，置于170℃的恒温烘箱中静置晶化24小时。