[发明专利]一维珊瑚状NiS/Ni3

说明书

本发明属于吸波材料技术领域，公开了一种一维珊瑚状NiS/Ni₃S₄@PPy@MoS₂吸波剂、制备方法及应用，所述一维珊瑚状NiS/Ni₃S₄@PPy@MoS₂吸波剂的制备方法采用还原法制备一维Ni纳米线；原位聚合法以吡咯为单体在Ni纳米线外包覆一层PPy；水热合成法在Ni@PPy纳米线外包覆一层MoS₂纳米棒。与此同时Ni作为牺牲模板被硫化成NiS/Ni₃S₄，制备得到一维珊瑚状NiS/Ni₃S₄@PPy@MoS₂吸波剂，表面形貌新颖且制备过程简单。本发明制备过程简单，所需原料成本低，且整体结构和各材料的组合方式比较新颖，具有优异的吸波性能，为一维吸波材料的设计与制备提供了新思路。

技术领域

本发明属于吸波材料技术领域，尤其涉及一种一维珊瑚状NiS/Ni₃S₄@PPy@MoS₂吸波剂、制备方法及应用。

背景技术

近年来，由于电磁设备的广泛使用，电磁波辐射逐渐成为一个严重的社会问题。高能电磁辐射在民用和军事领域均产生了极大的不利影响。千兆赫电磁波产生的干扰无线电波严重影响飞机，基站等之间的通信质量。此外，长时间暴露于千兆赫兹的射频辐射下，人体的免疫系统可能被破坏并形成其他疾病。为了解决这些难题，迫切需要高效的电磁波吸收剂。

单一损耗机制的吸波剂不能同时满足阻抗匹配和吸波材料所强调的“薄、轻、宽、强”等要求，这使得多种损耗机制共同作用的复合吸波剂材料受到广泛关注。除材料组成以外，结构的设计也是吸波材料研究中的一大方向。一维结构因其独特的形状各向异性和高的表面体积比，拉大了电磁波在材料内部的传输路径，使得电磁波在传输过程中被充分吸收，增大衰减效果。目前已报道的关于MoS₂的吸波文献中，大部分制备的是纳米片状MoS₂，纳米片状MoS₂的制备方法简单且具有良好的电化学性能，于是受到了研究人员的广泛关注。而纳米棒状MoS2制备方法较为复杂。极少有关于纳米棒状MoS₂的报道。此外，镍硫属化合物在微波吸收领域中的报道也比较少。

通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：目前已报道的关于MoS₂的吸波文献中，大部分制备的是纳米片状MoS₂，极少有关于纳米棒状MoS₂的报道。此外，镍硫属化合物在微波吸收领域中的报道也比较少。

解决以上问题及缺陷的难度为：纳米棒状MoS₂制备方法与纳米片状MoS₂相比较为复杂，需要用到模板或需要加入表面活性剂等添加剂。且在微波吸收领域，纳米片状MoS₂因其独特的花状结构会增强微波损耗能力而受到了广泛关注，关于纳米棒状MoS₂吸波能力的文献较少。此外，镍硫属化合物在微波吸收领域中的报道也比较少。

解决以上问题及缺陷的意义为：本发明提供了一种步骤简单且成本低的制备纳米棒状MoS₂的方法，不同与现有技术中的模板法、表面活性剂添加法等，丰富了纳米棒状MoS₂的制备方法。此外，本发明制备得到了一维镍硫属化合物(NiS/Ni₃S₄)，结构新颖，不同于已报道的球状或无定型状结构，为制备新型镍硫属化合物提供了新的思路，且为镍硫属化合物吸波剂的应用提供了理论与技术支持。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种一维珊瑚状NiS/Ni₃S₄@PPy@MoS₂吸波剂、制备方法及应用。