[发明专利]具有多个堆叠层的偏振器

权利要求书

1.一种偏振器的结构，该结构包括：

第一波导芯；

第一槽形波导组件，位于该第一波导芯上方，该第一槽形波导组件包括通过第一凹槽隔开的第二波导芯与第三波导芯；以及

第二槽形波导组件，位于该第一槽形波导组件上方，该第二槽形波导组件包括通过第二凹槽隔开的第四波导芯与第五波导芯，

其中，该第一波导芯与该第一凹槽及该第二凹槽横向对齐。

2.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯由单晶硅组成，该第二波导芯及该第三波导芯由氮化硅组成，以及该第四波导芯及该第五波导芯由氮化硅组成。

3.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯由单晶硅组成，该第二波导芯及该第三波导芯由多晶硅组成，以及该第四波导芯及该第五波导芯由氮化硅组成。

4.如权利要求1所述的结构，其中，该第一凹槽具有第一宽度尺寸，且该第二凹槽具有基本上等于该第一宽度尺寸的第二宽度尺寸。

5.如权利要求1所述的结构，其中，该第二波导芯具有第一终端以及与该第二波导芯的该第一终端相对的第二终端，且该第三波导芯具有第一终端以及与该第三波导芯的该第一终端相对的第二终端。

6.如权利要求1所述的结构，其中，该第四波导芯具有第一终端以及与该第四波导芯的该第一终端相对的第二终端，且该第五波导芯具有第一终端以及与该第五波导芯的该第一终端相对的第二终端。

7.如权利要求1所述的结构，还包括：

第一介电层，位于该第一槽形波导组件上方，该第一介电层包括位于该第一凹槽中的第一部分。

8.如权利要求7所述的结构，其中，该第一介电层包括位于该第一波导芯与该第三波导芯之间的第二部分，以及位于该第二波导芯与该第四波导芯之间的第三部分。

9.如权利要求8所述的结构，还包括：

第二介电层，位于该第二槽形波导组件上方，该第二介电层包括位于该第二凹槽中的一部分。

10.如权利要求1所述的结构，其中，该第四波导芯直接位于该第二波导芯上方，且该第五波导芯直接位于该第三波导芯上方。

11.如权利要求1所述的结构，其中，该第二波导芯具有第一顶部表面，该第四波导芯直接位于该第二波导芯的该第一顶部表面上方，该第三波导芯具有第二顶部表面，且该第五波导芯直接位于该第三波导芯的该第二顶部表面上方。

12.如权利要求1所述的结构，其中，该第一槽形波导组件位于第一平面中的第一层内，该第二槽形波导组件位于第二平面中的第二层内，且该第二层与该第一层堆叠。

13.如权利要求1所述的结构，还包括：

介电层，位于该第一槽形波导组件及该第二槽形波导组件上方，该介电层包括位于该第一凹槽中的第一部分以及位于该第二凹槽中的第二部分。

14.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯包括具有与该第一凹槽及该第二凹槽横向对齐的第一多个拐弯的段，该第一槽形波导组件包括第二多个拐弯，该第二槽形波导组件包括第三多个拐弯，且该第一波导芯的该第一多个拐弯与该第一凹槽及该第二凹槽横向对齐。

15.如权利要求14所述的结构，其中，该第一波导芯的该第一多个拐弯沿第一蛇形路径设置，该第一槽形波导组件的该第二多个拐弯沿第二蛇形路径设置，且该第二槽形波导组件的该第三多个拐弯沿第三蛇形路径设置。