[发明专利]用于处理基板的设备和用于处理基板的方法

说明书

本公开提供了一种用于处理基板的设备。在一个实施例中，一种基板处理设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元将基板支撑在所述内部空间中；处理气体供应单元，所述处理气体供应单元用于将处理气体供应到所述内部空间；以及等离子体源，所述等离子体源在所述内部空间中将所述处理气体激发至等离子体状态，其中所述处理气体供应单元包括加热器，所述加热器加热所述处理气体。

技术领域

本公开实施例涉及用于处理基板的设备和用于处理基板的方法。

背景技术

等离子体可以用于基板的处理。例如，等离子体可以用于干洗、灰化或蚀刻过程。等离子体可以使用极高温度的热量、强电场或RF电磁场。而且，等离子体是指由离子、电子、原子团等组成的电离气体。

通过用基板碰撞等离子体中包括的离子或原子团种类来执行使用等离子体的干洗、灰化或蚀刻。

在使用极高温度产生等离子体的方法的情况下，与在使用电场或电磁场时相比，需要过多的功率来维持这样的高温。此外，存在以下问题：在所产生的等离子体沿着供应管线移动时，剩余的等离子体可能会被供应到供应管线中的阀的下游侧，甚至在阀关闭之后也是如此；由于要花费几秒来打开和关闭阀，因此在要求精确蚀刻时间的过程中可能难以实现TTTM(工具到工具匹配)。

在使用电场或电磁场的方法的情况下，仅花费数十微秒(这比打开和关闭阀的时间短得多)来控制供电和断电，由此允许精确的蚀刻控制。但与使用极高温度的热解方法相比，由电场或电磁场能量加速的离子导致电极、喷头、绝缘体等损坏，从而产生粒子。不幸的是，用于产生电场或电磁场的功率越大，损坏就越大，从而产生大量的粒子，并且缩短部件的寿命，这导致更短的更换周期。

发明内容

本公开涉及提供一种能够提高基板处理效率的设备和方法。

本公开还涉及提供一种能够减少对电极、喷头、绝缘体等的损坏而同时最小化控制等离子体供应和中断所需的时间的设备和方法。

本公开的目的不限于此，并且本领域普通技术人员根据以下描述将清楚地理解未提及的其他目的。

本公开的示例性实施例提供了一种用于处理基板的设备。在一个实施例中，一种基板处理设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元将基板支撑在所述内部空间中；处理气体供应单元，所述处理气体供应单元用于将处理气体供应到所述内部空间；等离子体源，所述等离子体源在所述内部空间中将所述处理气体激发至等离子体状态，其中所述处理气体供应单元包括加热器，所述加热器加热所述处理气体。

在一个实施例中，基板处理设备还包括用于控制所述加热器的控制单元，其中所述控制单元可以由此控制所述加热器，从而将所述处理气体加热至所述处理气体的热解前温度。

在一个实施例中，所述处理气体供应单元还包括气体供应管线，所述气体供应管线连接到所述处理腔室以将所述处理气体供应到所述内部空间，其中所述加热器可以设置到所述气体供应管线。

在一个实施例中，所述气体供应管线包括：第一供应管线，所述第一供应管线用于将所述处理气体供应到所述内部空间的第一区域；以及第二供应管线，所述第二供应管线用于将所述处理气体供应到所述内部空间的第二区域。所述加热器包括：设置在所述第一供应管线中的第一加热器；设置在所述第二供应管线中的第二加热器。所述控制单元可以独立地控制所述第一加热器和所述第二加热器。

在一个实施例中，所述控制单元可以控制所述第一加热器和所述第二加热器，使得通过所述第一供应管线供应到所述第一区域的所述处理气体的温度不同于通过所述第二供应管线供应到所述第二区域的所述处理气体的温度。

在一个实施例中，所述第一区域可以与设置在所述支撑单元上的基板的中心区相对应，并且所述第二区域可以与设置在所述支撑单元上的基板的边缘区相对应。