[发明专利]用于处理基板的设备和用于处理基板的方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

处理腔室，具有内部空间；

支撑单元，用于将基板支撑在所述内部空间中；

处理气体供应单元，用于将处理气体供应到所述内部空间；以及

等离子体源，用于在所述内部空间中将所述处理气体激发至等离子体状态，

其中所述处理气体供应单元包括：

气体供应管线，被连接到所述处理腔室以将所述处理气体供应到所述内部空间；以及

加热器，被设置在所述气体供应管线处以加热所述处理气体。

2.如权利要求1所述的设备，还包括用于控制所述加热器的控制单元，其中所述控制单元控制所述加热器以将所述处理气体加热至所述处理气体的热解前温度。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述气体供应管线包括：

第一供应管线，用于将所述处理气体供应到所述内部空间的第一区域；以及

第二供应管线，用于将所述处理气体供应到所述内部空间的第二区域，

其中所述加热器包括：

第一加热器，被设置在所述第一供应管线处；以及

第二加热器，被设置在所述第二供应管线处，

并且其中所述第一加热器和所述第二加热器彼此独立地受控于所述控制单元。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述控制单元控制所述第一加热器和所述第二加热器，使得通过所述第一供应管线供应到所述第一区域的所述处理气体的温度不同于通过所述第二供应管线供应到所述第二区域的所述处理气体的温度。

5.如权利要求4所述的设备，其中所述第一区域与被布置在所述支撑单元上的基板的中心区相对应，并且所述第二区域与被布置在所述支撑单元上的所述基板的边缘区相对应。

6.如权利要求1所述的设备，还包括喷头，所述喷头将所述内部空间分隔为用于产生等离子体的等离子体产生空间和用于处理基板的处理空间，并且所述喷头具有多个通孔，在所述等离子体产生空间中产生的等离子体通过所述多个通孔流动到所述处理空间中。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述喷头连接到地面。

8.如权利要求6所述的设备，还包括在所述喷头上方的、被施加高频功率的上电极，并且其中所述上电极与所述喷头之间的空间被设置为所述等离子体产生空间。

9.一种用于处理基板的设备，包括：

处理腔室，具有处理空间；

支撑单元，用于将基板支撑在所述处理空间中；

排气单元，用于对所述处理空间进行排气；

等离子体腔室，被设置在所述处理腔室的上游侧，并且提供产生等离子体的等离子体产生空间；

第一处理气体供应单元，用于将第一处理气体供应到所述等离子体腔室；以及

等离子体源，用于将供应到所述等离子体腔室的所述第一处理气体激发至等离子体状态；并且

其中所述第一处理气体供应单元包括用于加热所述第一处理气体的加热器。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述第一处理气体包括含氟气体。

11.如权利要求9所述的设备，还包括用于控制所述加热器的控制单元，其中所述控制单元控制所述加热器以将所述第一处理气体加热至所述第一处理气体的热解前温度。

12.如权利要求9所述的设备，其中在所述等离子体腔室与所述处理腔室之间设置离子阻挡件，并且所述离子阻挡件连接到地面。

13.如权利要求9所述的设备，还包括用于将第二处理气体供应到所述处理空间的第二处理气体供应单元。

14.如权利要求13所述的设备，其中所述第一处理气体包括含氟气体，并且所述第二处理气体包括含氢和氮气体。