[发明专利]电子材料中α源的识别方法、装置及计算机可读存储介质

说明书

本申请涉及电子器件可靠性技术领域，具体公开一种电子材料中α源的识别方法、装置及可读存储介质。方法包括构建α粒子发射能谱数据库；测量目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱；对测量得到的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，及α粒子发射能谱数据库中的α粒子发射能谱网格化处理；将网格化处理后的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱与网格化处理后的数据库中的α粒子发射能谱逐个比对得到匹配结果；根据匹配结果识别目标电子材料样品中的α源。即可从数据库中匹配出与目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱最接近的能谱，以该能谱在数据库中所对应的α源作为目标电子材料样品中α源的识别结果，识别准确性较高，效率较高。

技术领域

本发明涉及电子器件可靠性技术领域，特别是涉及一种电子材料中α源的识别方法、装置及计算机可读存储介质。

背景技术

在半导体器件制备过程中，制备半导体器件的各种电子材料中往往会掺杂进各种放射性元素，例如²³⁵U、²³⁸U以及它们的子体同位素(如²³²Th)，又或²¹⁰Po等。这些重放射性元素往往会发生α衰变，持续不断地释放出能量大约在4MeV至9MeV的α粒子，带有能量的α粒子入射至半导体器件有源区，沿其径迹产生高密度的电子-空穴对，电子-空穴对在器件电场的作用下发生分离后被节点收集，在电路中产生一个干扰电流信号，进而引起半导体器件发生数据丢失、功能中断等恶劣影响，比如α粒子在CPU的指令缓存中引起软错误，这将导致CPU不能执行预期的功能，对整个电路系统的影响可能是致命的。

目前的主要应对方式是开展电子材料的α粒子发射率测试和评价，在该过程中对电子材料中α粒子来源(即α源)的识别至关重要，准确、高效的识别方法可为电子材料针对性提纯、降低发射率、识别污染源提供重要依据，而目前尚不能对电子材料中的α源进行准确高效地识别。

发明内容

基于此，有必要针对无法准确高效地识别电子材料中的α源的问题，提供一种电子材料中α源的识别方法、装置及计算机可读存储介质。

一种电子材料中α源的识别方法，用于识别目标电子材料样品中的α源，所述电子材料中α源的识别方法包括：

构建α粒子发射能谱数据库；

测量目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱；

对测量得到的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，以及α粒子发射能谱数据库中的α粒子发射能谱进行网格化处理；

将网格化处理后的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，与网格化处理后的数据库中的α粒子发射能谱逐个比对，得到匹配结果；

根据所述匹配结果识别目标电子材料样品中的α源。

在其中一个实施例中，所述构建α粒子发射能谱数据库的步骤包括：

获取α源集合，所述α源集合包括电子材料中的不同α源；

获取所述α源集合中的各个单一α源的α粒子发射能谱，形成第一数据库；

获取所述α源集合中的若干个α源混合后的α粒子发射能谱，形成第二数据库。

在其中一个实施例中，所述获取所述α源集合中的若干个α源混合后的α粒子发射能谱，形成第二数据库的步骤包括：

确定所述α源集合中α源的若干种混合方式；

获取各个混合方式下的α粒子发射能谱，形成第二数据库。

在其中一个实施例中，所述获取所述α源集合中的各个单一α源的α粒子发射能谱，形成第一数据库的步骤包括：

获取所述α源集合中的各个单一α源位于第一类电子材料内部时的α粒子发射能谱，形成第一子数据库；