[发明专利]电子材料中α源的识别方法、装置及计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种电子材料中α源的识别方法，用于识别目标电子材料样品中的α源，其特征在于，所述电子材料中α源的识别方法包括：

构建α粒子发射能谱数据库；

测量目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱；

对测量得到的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，以及α粒子发射能谱数据库中的α粒子发射能谱进行网格化处理；

将网格化处理后的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，与网格化处理后的数据库中的α粒子发射能谱逐个比对，得到匹配结果；

根据所述匹配结果识别目标电子材料样品中的α源。

2.根据权利要求1所述的电子材料中α源的识别方法，其特征在于，所述构建α粒子发射能谱数据库的步骤包括：

获取α源集合，所述α源集合包括电子材料中的不同α源；

获取所述α源集合中的各个单一α源的α粒子发射能谱，形成第一数据库；

获取所述α源集合中的若干个α源混合后的α粒子发射能谱，形成第二数据库。

3.根据权利要求2所述的电子材料中α源的识别方法，其特征在于，所述获取所述α源集合中的若干个α源混合后的α粒子发射能谱，形成第二数据库的步骤包括：

确定所述α源集合中α源的若干种混合方式；

获取各个混合方式下的α粒子发射能谱，形成第二数据库。

4.根据权利要求2所述的电子材料中α源的识别方法，其特征在于，所述获取所述α源集合中的各个单一α源的α粒子发射能谱，形成第一数据库的步骤包括：

获取所述α源集合中的各个单一α源位于第一类电子材料内部时的α粒子发射能谱，形成第一子数据库；

获取所述α源集合中的各个单一α源位于第二类电子材料内部时的α粒子发射能谱，形成第二子数据库；

所述第一类电子材料的膜层厚度小于所述第二类电子材料的膜层厚度，所述α源位于第一类电子材料内部时的α粒子发射能谱为分离谱，所述α源位于第二类电子材料内部时的α粒子发射能谱为连续谱。

5.根据权利要求2所述的电子材料中α源的识别方法，其特征在于，所述获取所述α源集合中的若干个α源混合后的α粒子发射能谱，形成第二数据库的步骤包括：

获取所述α源集合中的若干个α源混合位于第一类电子材料内部时的α粒子发射能谱，形成第三子数据库；

获取所述α源集合中的若干个α源混合位于第二类电子材料内部时的α粒子发射能谱，形成第四子数据库。

6.根据权利要求1所述的电子材料中α源的识别方法，其特征在于，所述对测量得到的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，以及α粒子发射能谱数据库中的α粒子发射能谱进行网格化处理的步骤包括：

将目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱按照预设规则进行分段，并对每一段的粒子通量进行归一化处理；

将α粒子发射能谱数据库中的每一个α粒子发射能谱均按照所述预设规则进行分段，并对每一段的粒子通量进行归一化处理。

7.根据权利要求6所述的电子材料中α源的识别方法，其特征在于，所述预设规则包括对α粒子发射能谱的能量值进行等值分段的方式。

8.根据权利要求6所述的电子材料中α源的识别方法，其特征在于，所述将网格化处理后的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，与网格化处理后的数据库中的α粒子发射能谱逐个比对，得到匹配结果的步骤包括：

将目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱的各段粒子通量分别与α粒子发射能谱数据库中的单个α粒子发射能谱的各段粒子通量一一比对，并得到目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱与α粒子发射能谱数据库中的该α粒子发射能谱的匹配度；

依次类推，分别获得目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱与α粒子发射能谱数据库中的各个α粒子发射能谱的匹配度。