[发明专利]一种具有磺酸基基团的改性MXene材料的制备方法有效
申请号: | 202110277847.4 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113042078B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 魏中哲;赵梓江;王建国 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | B01J27/22 | 分类号: | B01J27/22;B01J31/02;B01J35/00;C07C5/09;C07C15/46 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 周红芳 |
地址: | 310014 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 磺酸基 基团 改性 mxene 材料 制备 方法 | ||
1.一种具有磺酸基基团的改性MXene材料的制备方法,其特征在于MAX相材料先经氢氟酸蚀刻后,得到具备手风琴结构的二维层状MXene材料;二维层状MXene材料再经具有磺酸基阴离子的离子液体进行改性,使其手风琴结构进一步被剥离形成少层结构,且离子液体的阴离子基团迁移结合到二维层状MXene材料表面,即得具有磺酸基基团的改性MXene材料;
所述MAX相材料为MAX碳化钒铝,制备改性MXene材料的具体步骤如下:
1)将MAX碳化钒铝浸没在质量浓度30-50%的氢氟酸溶液中,在20-80℃温度下蚀刻反应12~48h,MAX碳化钒铝经过蚀刻反应转化为多层碳化钒产物;然后将反应产物置于超声环境下超声10~60 min,再进行抽滤,所得固体经去离子水洗涤,以便去除蚀刻掉的铝以及未反应完全的氢氟酸,干燥即得二维层状MXene碳化钒;
2)将步骤1)所得二维层状MXene浸没在插层剂中,然后在室温下插层6~48 h;插层结束后离心分离MXene与插层剂,所得MXene固体经去离子水洗涤2-4次以去除残留的插层剂,将得到的MXene分散在去离子水中,通入氮气密封保存,制得MXene的悬浮液;
3)向步骤2)所得MXene的悬浮液中加入具有磺酸基阴离子的离子液体,在30-40 ℃温度下搅拌反应20-40 min,即反应生成具有磺酸基基团的改性MXene材料;
步骤3)反应结束后还包括贵金属粒子的负载步骤,贵金属粒子为Pd,具体过程如下:直接在反应后混合液中加入含贵金属前驱体的水溶液,在35-85℃温度下反应4~10小时,然后将产物进行抽滤,在60-70℃温度下干燥4-12h,即得离子液体改性的贵金属多相催化剂。
2.如权利要求1所述的一种具有磺酸基基团的改性MXene材料的制备方法,其特征在于步骤1)中,MAX碳化钒铝的质量与氢氟酸溶液的体积之比是1 : 30~80,质量的单位是g,体积的单位是mL。
3.如权利要求1所述的一种具有磺酸基基团的改性MXene材料的制备方法,其特征在于步骤2)中,插层剂为二甲基亚砜或四丁基氢氧化铵。
4.如权利要求1所述的一种具有磺酸基基团的改性MXene材料的制备方法,其特征在于步骤3)中,所述离子液体为1-乙基-3-甲基咪唑甲烷磺酸盐;步骤1)投料的MAX碳化钒铝的质量与步骤3)投料的离子液体的体积之比是1:1~10,质量的单位是g,体积的单位是mL。
5.如权利要求4所述的一种具有磺酸基基团的改性MXene材料的制备方法,其特征在于步骤1)投料的MAX碳化钒铝的质量与步骤3)投料的离子液体的体积之比是1:2~8,质量的单位是g,体积的单位是mL。
6.如权利要求1所述的一种具有磺酸基基团的改性MXene材料的制备方法,其特征在于所述贵金属前驱体为PdCl2,所述贵金属粒子的粒径为1~50nm。
7.如权利要求6所述的一种具有磺酸基基团的改性MXene材料的制备方法,其特征在于所述贵金属前驱体为PdCl2,所述贵金属粒子的粒径为1~15nm。
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