[发明专利]一种晶圆切割方法

说明书

本发明提供一种晶圆切割方法，包括：采用刀轮对晶圆执行至少一次测试切割以得到至少一个切痕图像；沿至少一个切痕图像的长度方向进行测量以得到至少两个切割长度；判断至少两个切割长度中的最大值与最小值的差值是否大于设定值，若是，则判定切割面形貌异常，并停止切割，若否，则判定切割面形貌正常，并计算得到测试切割的实际切割深度及切割深度补偿值；以及，基于切割深度补偿值，执行产品切割。通过切痕图像的切割长度的最大值与最小值的差值判断切割面形貌是否正常，若是，则还可结合切割长度及刀轮的半径得到切割深度补偿值用于确定产品切割的切割深度，以解决现有技术中无法及时并精准的确定晶圆的切割深度及切割面形貌的问题。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种晶圆切割方法。

背景技术

晶圆是指集成电路制作所用的硅芯片，晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路器件。

在完成集成电路器件的制备后，需要对晶圆进行切割处理，将晶圆分为多个芯片。随着晶圆的尺寸越来越大，厚度越来越薄，同时芯片的尺寸却越来越小，对晶圆的切割要求也越来越高。

一般在切割晶圆之前，需要确定切割深度及切割面形貌。切割深度及切割面形貌对后续的切割晶圆有着至关重要影响，若切割深度设定不合理或切割面形貌异常，极易造成电性异常或者晶圆破裂。

目前，对切割深度及切割面形貌的确定往往采用截取切割端面的方式进行确认和测量，其确认既不及时也不精准。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆切割方法，以解决现有技术中无法及时并精准的确定晶圆的切割深度及切割面形貌的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆切割方法，包括：采用刀轮对晶圆执行至少一次测试切割以得到至少一个切痕图像；沿所述至少一个切痕图像的长度方向进行测量以得到至少两个切割长度；判断所述至少两个切割长度中的最大值与最小值的差值是否大于设定值，若是，则判定切割面形貌异常，并停止切割，若否，则判定切割面形貌正常，并基于所述刀轮的半径以及所述至少两个切割长度，计算所述测试切割的实际切割深度，再根据所述测试切割的实际切割深度以及设定切割深度得到切割深度补偿值；以及，基于所述切割深度补偿值，执行产品切割。

可选的，所述至少一个切痕图像的长度方向为所述刀轮的切割方向。

可选的，所述测试切割为非穿透晶圆的切割。

可选的，沿所述至少一个切痕图像的长度方向进行测量以得到至少五个切割长度。

可选的，所述至少五个切割长度至少包括所述切痕图像的长度方向的最大值及最小值。

可选的，所述至少五个切割长度至少包括位于所述切痕图像的宽度方向上的两端及中间的切割长度。

可选的，所述实际切割深度H的计算方法为：

其中，H为所述测试切割的实际切割深度，R为所述刀轮的半径，L为所述至少两个切割长度的平均值。

可选的，所述切割深度补偿值ΔH的计算方法为：

ΔH＝H-H’；

其中，H’为所述测试切割的设定切割深度，H为所述测试切割的实际切割深度。

可选的，所述设定值为所述晶圆的工艺最大允许平整度的两倍。

可选的，采用刀轮对晶圆执行至少一次测试切割的步骤中，所述晶圆为测试晶圆或产品晶圆。