[发明专利]用于磁记录驱动器的自旋力矩振荡器

权利要求书

1.一种写头，其包括：

主极；

后屏蔽物(trailing shield)；以及

自旋力矩振荡器即STO，其耦合到所述主极和所述后屏蔽物，所述STO包括：

晶种层，其位于所述主极上；

层，其位于所述后屏蔽物上；

自旋极化层，其位于所述晶种层与所述后屏蔽物上的所述层之间；

场产生层，其位于所述自旋极化层与所述后屏蔽物上的所述层之间；

非磁性间隔物层，其位于所述自旋极化层与所述场产生层之间；以及

铬层，其安置在所述非磁性间隔物层上且位于所述非磁性间隔物层与所述场产生层之间。

2.根据权利要求1所述的写头，其中所述铬层具有至多20埃的厚度。

3.一种磁介质驱动器，其包括根据权利要求1所述的写头。

4.一种自旋力矩振荡器，其包括：

晶种层；

端部层；

自旋极化层，其位于所述晶种层与所述端部层之间；

场产生层，其位于所述晶种层与所述端部层之间；

非磁性间隔物层，其位于所述自旋极化层与所述场产生层之间；以及

一个或多个铬层，其包括安置在所述非磁性间隔物层上且位于所述非磁性间隔物层与所述场产生层之间的铬层，且所述一个或多个铬层中的每一个具有至多40埃的厚度。

5.根据权利要求4所述的自旋力矩振荡器，其中安置在所述非磁性间隔物层上的所述铬层的厚度在2埃到8埃范围内。

6.根据权利要求4所述的自旋力矩振荡器，其中安置在所述非磁性间隔物层上的所述铬层的厚度在5埃到15埃范围内。

7.根据权利要求4所述的自旋力矩振荡器，其中所述一个或多个铬层还包括安置在所述场产生层上且位于所述场产生层与所述端部层之间的铬层。

8.根据权利要求7所述的自旋力矩振荡器，其中安置在所述场产生层上且位于所述场产生层与所述端部层之间的所述铬层具有15埃到25埃范围内的厚度。

9.一种磁介质驱动器，其包括根据权利要求4所述的自旋力矩振荡器。

10.一种写头，其包括：

主极；

后屏蔽物；以及

自旋力矩振荡器即STO，其耦合到所述主极和所述后屏蔽物，所述STO包括：

晶种层，其位于所述主极上；

层，其位于所述后屏蔽物上；

场产生层，其位于所述晶种层与所述后屏蔽物上的所述层之间；

自旋极化层，其位于所述场产生层与所述后屏蔽物上的所述层之间；

非磁性间隔物层，其位于所述场产生层与所述自旋极化层之间；以及

铬层，其安置在所述场产生层上且位于所述场产生层与所述非磁性间隔物层之间。

11.根据权利要求10所述的写头，还包括安置在所述晶种层上且位于所述晶种层与所述场产生层之间的铬层。

12.根据权利要求11所述的写头，其中安置在所述晶种层上的所述铬层具有至多80埃的厚度。

13.根据权利要求11所述的写头，其中安置在所述晶种层上的所述铬层具有在15埃到25埃范围内的厚度。

14.根据权利要求10所述的写头，其中安置在所述场产生层上的所述铬层具有10埃的厚度。

15.一种磁介质驱动器，其包括根据权利要求10所述的写头。