[发明专利]SiC烧结体、加热器以及SiC烧结体的制造方法

说明书

本发明提供一种SiC烧结体，所述烧结体含有氮原子，所述烧结体的最大体积电阻率R_max与所述烧结体的平均体积电阻率R_ave之比即R_max/R_ave为1.5以下，且所述烧结体的最小体积电阻率R_min与所述平均体积电阻率R_ave之比即R_min/R_ave为0.7以上，所述烧结体的相对密度为98％以上。

本发明申请是基于住友大阪水泥股份有限公司的PCT申请号为PCT/JP2018/026170、主题为“SiC烧结体、加热器以及SiC烧结体的制造方法”的国际申请进入中国国家阶段的中国发明申请递交的分案申请，中国发明申请的申请号为201880019061.9，申请日为2018年7月11日。

技术领域

本发明涉及一种SiC烧结体、加热器以及SiC烧结体的制造方法。

本申请基于2017年7月12日于日本申请的日本专利申请2017-136186号以及2018年6月28日于日本申请的日本专利申请2018-123595号主张优选权，并将其内容援用于本说明书中。

背景技术

以往，已知在形成碳化硅(SiC)粉末后烧结而得的SiC烧结体。由于SiC烧结体的耐热性、耐热冲击性、耐蚀性、高温强度特性优异，因此被用于许多领域中。另外，耐热冲击性是指不易在急剧的温度变化(热冲击)中损坏的性质。并且，高温强度特性是指在高温区域中的强度。

并且，由于SiC烧结体显示导电性，因此也被广泛用作电阻发热体。为了改善电阻发热体的发热特性，已进行着眼于SiC烧结体的比电阻值的开发(例如，专利文献1和专利文献2)。

专利文献1中记载了控制碳化硅烧结体的比电阻值的方法。在专利文献1中记载的方法中，首先，将碳化硅烧结体的平均粒径为0.1μm以上且10μm以下的α-SiC粉末、平均粒径为0.1μm以上且10μm以下的β-SiC粉末、及通过等离子体CVD法气相合成的平均粒径小于0.1μm的SiC超微粉末，以期望的比例进行混合而得到SiC混合粉末。接着，通过对所得的SiC混合粉末进行加热烧结，能够在约1.0×10^-3～1.0×10²Ω·cm的宽范围内控制碳化硅烧结体的比电阻值。

专利文献2中记载了一种在制造时容易进行电阻控制且相对密度为90％以上的导电性SiC烧结体的制造方法。

在专利文献2中记载的制造方法中，将平均粒径2μm以下的SiC粉末和烧结助剂的混合物进行成型而成为成型体，在包含30～90体积％的氮气的惰性环境气体中，在2100～2300℃的温度条件下对所述成型体进行加热烧结。作为该烧结助剂，使用B、B₄C、BN等B化合物，以及炭黑或酚酫树脂等碳源。由此，在专利文献2中记载的制造方法中可以得到具有比电阻值为10Ω·cm以下且相对密度为90％以上的特性的导电性SiC烧结体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-255428号公报

专利文献2：日本特开2001-261441号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

但是，对于通过专利文献1和专利文献2中记载的方法得到的SiC烧结体，有时其体积电阻率会根据测量位置而有很大变化。例如，当使用体积电阻率根据测量位置而有很大变化的SiC烧结体来制作发热体时，有时在高温区域中流过发热体的电流值会变得不均匀，并且面内温度会变得不均匀。

并且，对于通过专利文献2中记载的方法得到的SiC烧结体，要求其密度进一步提高。