[发明专利]SiC烧结体、加热器以及SiC烧结体的制造方法

权利要求书

1.一种SiC烧结体，所述烧结体含有氮原子，

所述烧结体的最大体积电阻率R_max与所述烧结体的平均体积电阻率R_ave之比即R_max/R_ave为1.5以下，且所述烧结体的最小体积电阻率R_min与所述平均体积电阻率R_ave之比即R_min/R_ave为0.7以上，

所述烧结体的相对密度为98％以上,

体积电阻率采用了通过四探针测量法测量SiC烧结体而得的值，

所述平均体积电阻率采用了在所述SiC烧结体的面内的任意5个位置得到的5个所述体积电阻率的测量值的平均值，

所述最大体积电阻率为5个所述测量值的最大值，

所述最小体积电阻率为5个所述测量值的最小值，

所述SiC烧结体中的所述氮原子的含量为40ppm以上5000ppm以下。

2.一种加热器，其由权利要求1所述的SiC烧结体构成。

3.一种SiC烧结体的制造方法，其具有如下工序：

将平均粒径为0.1μm以上且1.0μm以下并且选自包含α-SiC粉末和β-SiC粉末的组中的至少一种SiC粉末、

平均粒径小于0.1μm并且通过等离子体CVD法气相合成的SiC超微粉末、及

平均粒径为0.1μm以上且2.0μm以下的Si₃N₄粒子进行混合的工序；以及

对所述混合工序中得到的混合物进行烧结的工序，

在所述混合工序中，相对于所述SiC粉末100质量份，将所述SiC超微粉末混合超过2质量份且小于20质量份，

相对于所述SiC粉末100质量份，将所述Si₃N₄粒子混合0.05质量份以上且3质量份以下，

在所述烧结工序中，在2200℃以上且小于2400℃的条件下对所述混合物进行烧结。