[发明专利]一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备

说明书

本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，包括沉淀管，所述沉淀管的内底壁固定连接有支撑杆，所述支撑杆的顶部转动连接有支撑板，所述支撑板的底部且位于支撑杆的两侧转动连接有挤压杆，所述承接架的内部滑动连接有滚子，所述滚子的表面滑动连接有主动轮，所述啮合杆靠近轮心的一侧啮合连接有锥形轴，所述主动轮远离支撑板的一侧滑动连接有固定杆，所述主动轮的上方设置有承接齿轮，所述承接齿轮的侧面穿插设置有插杆。该基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，通过支撑板与锥形轴的配合使用，从而达到了在对基板进行覆膜时，防止基板表面覆膜不均匀的效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备。

背景技术

半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料，从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要，很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。

现有在制造半导体时，需要生产零件基板，而在基板生产的过程中，需要对基板表面进行覆膜处理，而常用的覆膜方法时CVD化学沉淀法，其原理是向基板表面喷入反应气体，与基板表面进行化学反应，进而使得基板表面生成一层化学薄膜，然而在实际的操作中，因为气流的作用，基板表面的反应物质常常出现分布不均匀现象，导致基板覆膜的质量下降。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，具备在对基板进行覆膜时，防止基板表面覆膜不均匀等优点，解决了现有通过化学沉淀覆膜造成基板表面覆膜不均匀的问题。

(二)技术方案

为实现上述在对基板进行覆膜时，防止基板表面覆膜不均匀的目的，本发明提供如下技术方案：一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，包括沉淀管，所述沉淀管的内底壁固定连接有支撑杆，所述支撑杆的顶部转动连接有支撑板，所述支撑板的底部且位于支撑杆的两侧转动连接有挤压杆，所述挤压杆的侧面转动连接有顶杆，所述顶杆的底部转动连接有滑块，所述滑块的底部滑动连接有承接板，所述滑块的侧面转动连接有连动杆，所述连动杆的顶部固定连接有磁铁，所述磁铁的上方设置有承接架，所述承接架的内部滑动连接有滚子，所述滚子的表面滑动连接有主动轮，所述主动轮的内部滑动连接有啮合杆，所述啮合杆靠近轮心的一侧啮合连接有锥形轴，所述主动轮远离支撑板的一侧滑动连接有固定杆，所述主动轮的上方设置有承接齿轮，所述承接齿轮的侧面穿插设置有插杆。

优选的，所述连动杆的两侧设置有水平杆，且初始时插入到承接板的内部，使得连动杆移动时保护水平。

优选的，所述磁铁位于承接架的底部，且能够与滚子产生磁力作用。

优选的，所述滚子由金属制成，且深入到主动轮侧面设置的半圆凹槽内，在滚子移动时带动主动轮同步移动。

优选的，所述插杆的一侧与动力电机连接，另一侧插入到承接齿轮的内部。

优选的，所述固定杆的内部设置有缓冲弹簧，在主动轮移动后带动主动轮复位。

优选的，所述锥形轴的侧面设置有支撑轴承，支撑锥形轴的转动。

优选的，所述锥形轴远离支撑板的一端设置有抽气扇。

(三)有益效果

与现有技术相比，本发明提供了一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，具备以下有益效果：