[发明专利]一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备

权利要求书

1.一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，包括沉淀管(1)，其特征在于：所述沉淀管(1)的内底壁固定连接有支撑杆(2)，所述支撑杆(2)的顶部转动连接有支撑板(3)，所述支撑板(3)的底部且位于支撑杆(2)的两侧转动连接有挤压杆(4)，所述挤压杆(4)的侧面转动连接有顶杆(6)，所述顶杆(6)的底部转动连接有滑块(7)，所述滑块(7)的底部滑动连接有承接板(5)，所述滑块(7)的侧面转动连接有连动杆(8)，所述连动杆(8)的顶部固定连接有磁铁(9)，所述磁铁(9)的上方设置有承接架(10)，所述承接架(10)的内部滑动连接有滚子(11)，所述滚子(11)的表面滑动连接有主动轮(12)，所述主动轮(12)的内部滑动连接有啮合杆(13)，所述啮合杆(13)靠近轮心的一侧啮合连接有锥形轴(17)，所述主动轮(12)远离支撑板(3)的一侧滑动连接有固定杆(16)，所述主动轮(12)的上方设置有承接齿轮(14)，所述承接齿轮(14)的侧面穿插设置有插杆(15)。

2.根据权利要求1所述的一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，其特征在于：所述连动杆(8)的两侧设置有水平杆，且初始时插入到承接板(5)的内部。

3.根据权利要求1所述的一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，其特征在于：所述磁铁(9)位于承接架(10)的底部，且能够与滚子(11)产生磁力作用。

4.根据权利要求1所述的一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，其特征在于：所述滚子(11)由金属制成，且深入到主动轮(12)侧面设置的半圆凹槽内。

5.根据权利要求1所述的一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，其特征在于：所述插杆(15)的一侧与动力电机连接，另一侧插入到承接齿轮(14)的内部。

6.根据权利要求1所述的一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，其特征在于：所述固定杆(16)的内部设置有缓冲弹簧。

7.根据权利要求1所述的一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，其特征在于：所述锥形轴(17)的侧面设置有支撑轴承。

8.根据权利要求1所述的一种基于半导体生产的基板CVD化学气箱沉淀设备，其特征在于：所述锥形轴(17)远离支撑板(3)的一端设置有抽气扇。