[发明专利]晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法在审
申请号: | 202110267148.1 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN112816392A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 洪敏强;魏丽英;曾雷英 | 申请(专利权)人: | 厦门厦钨新能源材料股份有限公司 |
主分类号: | G01N15/08 | 分类号: | G01N15/08 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 习冬梅 |
地址: | 361026 福建省厦门市中国(*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶态 物质 孔隙率 分析 测试 方法 | ||
1.一种晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法,其特征在于,所述分析测试方法包括:
获取晶态物质的真密度ρ1、理论密度ρ2和系统差ρ3,其中,真密度ρ1表示晶态物质通过仪器分析得到的测试值,理论密度ρ2表示计算得出的晶态物质的密度,系统差ρ3表示标准样品的真密度ρ1’与标准样品的理论密度ρ2’的差(ρ1’-ρ2’);
利用公式一[ρ2/(ρ1-ρ3)-1]*100%计算得到晶态物质的闭孔孔隙率。
2.如权利要求1所述的晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法,其特征在于,所述理论密度ρ2表示根据公式二计算得出的晶态物质的密度,所述公式二为:ρ2=N*M/(NA*Vcell),其中,N表示晶态物质的一个晶胞内含有的分子数,M表示晶态物质的摩尔质量,NA表示阿伏伽德罗常数,Vcell表示晶态物质的一个晶胞体积。
3.如权利要求2所述的晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法,其特征在于,所述Vcell由下述方法计算得到:利用X射线粉末衍射仪测出晶态物质的物性参数,通过精修软件计算校正离子混排、元素掺杂、晶体内部应力和测试温度对物性参数的影响,根据晶态物质的晶体结构类型选择相应的体积公式计算得到。
4.如权利要求3所述的晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法,其特征在于,当所述晶态物质的晶胞结构为正六棱柱时,所述Vcell的计算公式为:其中,a表示正六棱柱的底面边长,c表示正六棱柱的侧棱长。
5.如权利要求1所述的晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法,其特征在于,所述标准样品的闭孔孔隙率为零。
6.如权利要求1所述的晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法,其特征在于,所述真密度ρ1表示晶态物质通过真密度仪分析得到的测试值,所述真密度仪的分析测试气体为氦气。
7.如权利要求1所述的晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法,其特征在于,所述系统差ρ3为标准样品的真密度ρ1’与标准样品的理论密度ρ2’的差(ρ1’-ρ2’)的平均值。
8.如权利要求1所述的晶态物质的闭孔孔隙率的分析测试方法,其特征在于,所述晶态物质为锂离子二次电池正极材料。
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