[发明专利]半导体器件解理装置及解理方法

说明书

本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括用于盛放保护液的容腔、在所述容腔内设置有浸入保护液内的用于半导体器件解理的解理台和位于所述解理台的一侧并能够接收从解理台上滑落的巴条的夹具。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件需要解理的时候，将半导体器件浸入到保护液中，在保护液中进行解理，从而使解理的新鲜的腔面与空气的水、氧等其他杂质隔离，避免腔面吸附氧气氧化和吸附气体等，且保护液覆盖腔面并能够使腔面上形成保护膜，并移动蒸镀腔室内以后，经过处理能够使腔面上的保护膜去除，得到新鲜的腔面。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种半导体器件解理装置及解理方法。

背景技术

半导体芯片在解理后形成巴条，巴条具有新鲜解理的腔面，但新鲜解理的腔面较为活跃，极其容易吸附空气中的水、氧等其他杂质。

为了避免腔面暴露在空气中容易吸附氧气氧化或者吸附气体和颗粒脏污等，当前采用的方法有在超高真空环境下进行腔面解理，然后钝化一层保护膜进行腔面保护，但这种方法对环境条件要求苛刻，需要超高真空的环境，成本较高并且不容易大批量操作。

另外一种采用的方法为在大气中进行腔面解理，然后使用一些特殊溶液进行腔面熏蒸（硫化）；但这种方法需要在腔面暴露大气后，尽快的进行腔面熏蒸，一旦熏蒸不及时，则会导致腔面暴露时间过长，则腔面熏蒸会失效，另外进行腔面熏蒸则需要使解理的腔面装入特殊的夹具中，这样很容易在过程中引入污染，造成产品损失。

发明内容

本发明的目的在于提供半导体器件解理装置及解理方法，以缓解现有的半导体器件解理装置不易操作，易引入污染的技术问题。

本发明提供的一种半导体器件解理装置，包括用于盛放保护液的容腔、在所述容腔内设置有浸入保护液内的用于半导体器件解理的解理台、位于所述解理台的一侧并能够接收从解理台上滑落的巴条的夹具、位于所述容腔用于操作的机械手组和用于与解理台配合使半导体器件依次解理的驱动机构；

所述解理台具有用于解理的第一平面和用于使解理后的巴条导向夹具的第二斜面；在所述第一平面上设置有凸起结构；所述驱动机构使半导体器件在所述凸起结构上移动并能够使所述半导体器件上的解理线依次与凸起结构对齐；

所述机械手组包括第一机械手、第二机械手和第三机械手，所述第一机械手与所述驱动机构配合使半导体器件依次解理为巴条，解理后的巴条掉落在第二斜面上并沿第二斜面滑向夹具；所述第二机械手使解理后的巴条依次排列在所述夹具内；所述第三机械手用于将夹具移出容腔。

进一步地，还包括氮气吹扫装置，所述氮气吹扫装置用于对待浸入到保护液的半导体器件进行吹扫。

进一步地，还包括摄像对准装置，所述摄像对准装置用于使所述半导体器件的解理线与所述凸起结构对齐。

进一步地，所述凸起结构的长度大于所述解理线的长度。

进一步地，还包括加热机构，所述加热机构用于使夹具处具有易于使巴条的腔面上形成保护膜的温度。

进一步地，所述容腔具有用于保护液进入的进液口和用于将保护液排出的排液口；

所述进液口的水平高度高于半导体器件浸入保护液内所需的液面高度；所述排液口的水平高度低于解理台的第一平面的水平高度。

进一步地，所述驱动机构包括位于所述容腔外的驱动装置和位于所述容腔内并能够夹持所述半导体器件在凸起结构上移动的夹持件，所述夹持件与所述驱动装置连接。

本发明还提供一种半导体器件解理方法，该方法应用于上述所述半导体器件解理装置，包括以下步骤：

S1，利用第一机械手将待解理的半导体器件浸入到保护液内并放置在解理台的第一平面上；