[发明专利]OLED显示面板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110266229.X 申请日: 2021-03-11
公开(公告)号: CN113053974A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 何昆鹏 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 面板 及其 制备 方法
【说明书】:

本申请提供的OLED显示面板包括栅绝缘层、以及在栅绝缘层上同层设置的栅极、源极、漏极、以及反射阳极;通过将栅极、源极、漏极、以及反射阳极设置在同一层,节省了多道光罩,OLED显示面板制备到像素定义层只需要六道左右光罩,降低了OLED显示面板的制备成本。

技术领域

本申请涉及OLED显示技术领域,具体涉及一种OLED显示面板和一种OLED显示面板制备方法。

背景技术

现在顶栅顶发射的OLED显示面板通常需要10道左右的光罩才能制作到像素定义层完成,光罩的制作难度极大,价格非常昂贵,所以OLED显示器的制作成本居高不下,因此,减少黄光制程的次数同时减少光罩的数量显得尤为重要。

因此,现有OLED显示面板存在制备中使用光罩的数量较多的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法,可以缓解现有OLED显示面板存在制备中使用光罩的数量较多的技术问题。

本申请实施例提供一种OLED显示面板,包括TFT器件、以及位于所述TFT器件之上的发光器件;

所述TFT器件包括衬底、遮光图案、缓冲层、有源层、以及设置在所述有源层上的栅绝缘层,其中,栅极、源极、漏极同层且绝缘的设置在所述栅绝缘层上;

所述发光器件包括反射阳极、设置在所述反射阳极上的透明阳极、发光层、透明阴极,所述反射阳极与所述源极抵接设置,所述反射阳极与所述栅极、所述源极、所述漏极同层设置。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述OLED显示面板包括多个子像素单元,任一所述子像素单元包括顶发光区和底发光区,其中,所述顶发光区内设置有所述反射阳极,所述底发光区内设置有反射阴极,所述反射阴极设置在所述发光层上方。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述顶发光区和所述底发光区之间设置有不发光区,所述顶发光区和所述底发光区的区域大小相等。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述OLED显示面板还包括设置在所述透明阳极上的像素定义层,其中,所述像素定义层位于所述不发光区。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述像素定义层上设置有透明阴极,其中,所述透明阴极设置在所述顶发光区、所述底发光区、以及所述不发光区。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述像素定义层上设置有透明阴极,其中,所述透明阴极设置在所述顶发光区、以及所述不发光区,所述底发光区未设置所述透明阴极。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述顶发光区和所述底发光区相邻且抵接设置,其中,所述顶发光区内设置有所述反射阳极,所述底发光区内设置有反射阴极,所述反射阴极设置在所述发光层上方。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述遮光图案同层设置有走线层,所述缓冲层和所述栅绝缘层设置有第一过孔,所述反射阳极通过所述第一过孔与所述走线层连接,所述栅绝缘层设置有第二过孔,所述源极、漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述栅极、所述源极、所述漏极、以及所述反射阳极的制备材料相同。

本申请实施例提供一种OLED显示面板制备方法,包括:

提供一衬底;

利用第一光罩在所述衬底上形成遮光图案;

在衬底上形成一整层缓冲层;

利用第二光罩在所述缓冲层上形成有源层;

在所述有源层上形成栅绝缘层,利用第三光罩形成贯通所述栅绝缘层的第一过孔、以及贯通所述缓冲层和所述栅绝缘层的第二过孔;

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