[发明专利]OLED显示面板及其制备方法在审
| 申请号: | 202110266229.X | 申请日: | 2021-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN113053974A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 何昆鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括TFT器件、以及位于所述TFT器件之上的发光器件;
所述TFT器件包括衬底、遮光图案、缓冲层、有源层、以及设置在所述有源层上的栅绝缘层,其中,栅极、源极、漏极同层且绝缘的设置在所述栅绝缘层上;
所述发光器件包括反射阳极、设置在所述反射阳极上的透明阳极、发光层、透明阴极,所述反射阳极与所述源极抵接设置,所述反射阳极与所述栅极、所述源极、所述漏极同层设置。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板包括多个子像素单元,任一所述子像素单元包括顶发光区和底发光区,其中,所述顶发光区内设置有所述反射阳极,所述底发光区内设置有反射阴极,所述反射阴极设置在所述发光层上方。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述顶发光区和所述底发光区之间设置有不发光区,所述顶发光区和所述底发光区的区域大小相等。
4.如权利要求3所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板还包括设置在所述透明阳极上的像素定义层,其中,所述像素定义层位于所述不发光区。
5.如权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素定义层上设置有透明阴极,其中,所述透明阴极设置在所述顶发光区、所述底发光区、以及所述不发光区。
6.如权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素定义层上设置有透明阴极,其中,所述透明阴极设置在所述顶发光区、以及所述不发光区,所述底发光区未设置所述透明阴极。
7.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述顶发光区和所述底发光区相邻且抵接设置,其中,所述顶发光区内设置有所述反射阳极,所述底发光区内设置有反射阴极,所述反射阴极设置在所述发光层上方。
8.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述遮光图案同层设置有走线层,所述缓冲层和所述栅绝缘层设置有第一过孔,所述反射阳极通过所述第一过孔与所述走线层连接,所述栅绝缘层设置有第二过孔,所述源极、漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。
9.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述栅极、所述源极、所述漏极、以及所述反射阳极的制备材料相同。
10.一种OLED显示面板制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
利用第一光罩在所述衬底上形成遮光图案;
在衬底上形成一整层缓冲层;
利用第二光罩在所述缓冲层上形成有源层;
在所述有源层上形成栅绝缘层,利用第三光罩形成贯通所述栅绝缘层的第一过孔、以及贯通所述缓冲层和所述栅绝缘层的第二过孔;
在所述栅绝缘层上形成一层高反射率、高电导率的金属膜层,利用第四光罩将所述金属膜层形成栅极、源极、漏极、以及反射阳极;
在所述反射阳极上制备一透明金属膜层,利用第五光罩将所述透明金属膜层形成透明阳极;
在栅极、源极、漏极、以及透明阳极上形成一有机膜层,利用第六光罩处理所述有机膜层形成像素定义层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





