[发明专利]一种新型FEI850离子束修补机电子中和漏斗

说明书

本发明涉及掩模制版技术领域，且公开了一种新型FEI离子束修补机电子中和漏斗，包括电子中和漏斗本体，所述电子中和漏斗本体的一侧安装有支撑连杆，所述支撑连杆的顶部安装有工艺气体管道，所述工艺气体管道的端部安装有工艺气体喷嘴，所述电子中和漏斗本体的中间位置处开设有中心孔，所述电子中和漏斗本体的内部设置有内侧面和最低面。该一种新型FEI850离子束修补机电子中和漏斗，通过设置电子中和漏斗本体、内侧面和最低面，使得本发明具有防干扰功能和高效吸附性能，进而在设备修补过程中，具有对离子、电子更好的吸附性能，同时可根据二次离子束和二次电子流成像原理，避免了发散离子和电子的干扰，使得修补精度更高，成像更清晰。

技术领域

本发明涉及掩模制版技术领域，具体为一种新型FEI850离子束修补机电子中和漏斗。

背景技术

掩模是一种统称，又名光掩模或是光罩(Mask，PhotoMask),掩模是在一个石英基材上以铬膜所构成之集成电路(IC)设计图案，其目的为了将设计出的集成电路图案利用掩模投影微缩转移至晶圆上。在掩模生产制造过程中，缺陷修补是一道重要工序，尤其是当集成电路工艺发展到7纳米技术节点时，随着图形特征尺寸越来越小，图形复杂多样，对缺陷要求越来越严格，若掩模版上存在缺陷，经光刻等工艺流程处理，缺陷就被复刻到圆片上，最终造成集成电路开、短路异常，使芯片良率降低。掩模制作是整个芯片流程中制造最昂贵的一部分，例如一块可供使用的相移掩模价格高至几十万美元。如果不修补，报废处理，不但增加生产成本，而且影响产品交期。

目前，离子束修补机在实际工作的过程中，会受到电子或离子的干扰，进而导致在掩模制作时，掩模版上出现轻微的缺陷，经光刻等工艺流程处理，缺陷就被复刻到圆片上，最终造成集成电路开、短路异常，使芯片良率降低，因此需要对其进行改进。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种新型FEI850离子束修补机电子中和漏斗，具有防干扰功能和高效吸附性能的优点，解决了现有的离子束修补机在实际使用的过程中，对离子、电子吸附性能差，同时，容易受到电子和离子的干扰，进而导致在掩模修补时，影响修补精度导致掩模版产品报废。

一种新型FEI离子束修补机电子中和漏斗，包括电子中和漏斗本体，所述电子中和漏斗本体的一侧安装有支撑连杆，所述支撑连杆的顶部安装有工艺气体管道，所述工艺气体管道的端部安装有工艺气体喷嘴，所述电子中和漏斗本体的中间位置处开设有中心孔，所述电子中和漏斗本体的内部设置有内侧面和最低面。

优选的，所述电子中和漏斗本体的材质设置为石墨材质。

优选的，所述电子中和漏斗本体的中心孔位置高于电子中和漏斗本体内部内侧面的最低面。

优选的，所述电子中和漏斗本体的内侧面设置为锯齿状。

优选的，所述工艺气体喷嘴设置在电子中和漏斗本体的中心孔位置。

优选的，所述中心孔设置在电子中和漏斗本体内部的最低面位置处。

与现有技术对比，本发明具备以下有益效果：

1、该一种新型FEI850离子束修补机电子中和漏斗，通过设置电子中和漏斗本体，使得离子束和电子流通过电子中和漏斗本体的中心孔抵达掩模版上，在产品修补过程中便于提供一个相对较大的接地平面，并且电子中和漏斗本体是一种垂直运动机构，可以将电子中和漏斗延伸(降下)到靠近掩模版的位置，以最大限度地提高其在使用过程中的电荷中和效果，同时，电子中和漏斗本体稍微收缩(升高)可以提供垂直间隙便于掩模版承载平台在x-y平面移动。